64-Gbit-Chips mit 3-Bit-Zellen von Samsung

Samsung hat den Produktionsstart von 64 Gbit großen NAND-Flash-Chips mit 3-Bit-Zellen und in einem Prozess der 20-nm-Klasse – das heißt zwischen 20 und 29 Nanometer – bekannt gegeben. Verglichen mit herkömmlichen Multi-Level-Cell-Speicherchips (MLC) mit 2 Bit pro Zelle sind nochmals höhere Speicherdichten möglich.

Die neuen Speicherchips sollen vor allem in USB-Speichersticks und Speicherkarten eingesetzt werden. Solid State Drives und Smartphones werden aber zumindest erwähnt. Gerade bei SSDs könnten jedoch eine höhere Fehleranfälligkeit und eventuell trotz Toggle-DDR-Interface eine geringere Leistung im Vergleich zu herkömmlichem MLC-Chips problematisch sein. Ähnliche, in 25 nm feinen Strukturen gefertigte 64-Gbit-Speicherchips haben Intel und Micron bereits Mitte August unter dem Namen „TLC“ (Triple Level Cell) vorgestellt und den Produktionsbeginn für Ende 2010 anvisiert.

Samsungs Ankündigung kommt nicht einmal ein Jahr nach dem Beginn der Produktion 32 Gbit großer 3-Bit-Chips in einem Prozess der 30-nm-Klasse im vergangenen November. Erste Produkte der 20-nm-Klasse stellte das Unternehmen im vergangenen April vor.