Samsung entwickelt Mobile DRAM mit hoher Bandbreite

Für die hohe Leistung von Smartphones und Tablets sind nicht nur immer schnellere Prozessoren wie Samsungs Dual-Core Exynos 4210 notwendig, auch der Arbeitsspeicher muss für mobile Anwendungen eine zunehmend hohe Bandbreite bieten. Diese soll in Zukunft DRAM mit „Wide I/O“-Interface bereitstellen, den Samsung derzeit entwickelt.

Samsung entwickelt zunächst einen 1 Gbit großen Mobile-DRAM-Baustein, der in einem Prozess mit 5x Nanometer Strukturbreite gefertigt wird und Daten mit bis zu 12,8 Gigabyte pro Sekunde übertragen kann. Gegenüber Mobile DRAM mit 1,6 GB/s ist dies eine acht Mal so hohe Bandbreite und auch der im vergangenen Jahr unter anderem von Micron und Samsung vorgestellte LPDDR2-Speicher erreicht nur rund 3,2 GB/s. Doch auch die Leistungsaufnahme wurde gesenkt und soll um 87 Prozent niedriger sein als bei LPDDR-Speicher.

Um so hohe Datenraten zu ermöglichen, hat Samsung beim Wide-I/O-Interface die Zahl der Pins zur Datenübertragung im Vergleich zu den bisherigen Lösungen massiv erhöht. Während LPDDR und LPDDR2 16 oder 32 Pins für die Datenübertragung haben, werden für das Wide-I/O-Interface gleich 512 Pins für ein- und ausgehende Daten genutzt. Zusammen mit den Pins für das Senden von Befehlen und die Steuerung der Stromversorgung kann ein einziges Wide-I/O-DRAM sogar bis zu 1.200 Pins haben. Als nächstes Ziel strebt Samsung nun für 2013 die Vorstellung eines in 2x nm Strukturbreite gefertigten, 4 Gbit großen Wide I/O DRAMs an.