Samsung produziert Low-Power-DDR2 in 30 nm

Samsung hat diesen Monat mit der Produktion von 4 Gbit großen „Low Power DDR2 DRAM“-Chips in einem Prozess der 30-nm-Klasse begonnen. Dies geht aus einer heute veröffentlichten Pressemitteilung hervor. Muster der DRAM-Chips fertigt das koreanische Unternehmen bereits seit dem vergangenen Dezember.

Den Datendurchsatz der DRAM-Chips für Mobilgeräte der oberen Leistungsklasse, wie beispielsweise Smartphones und Tablet-PCs, gibt Samsung mit 1.066 Megabit pro Sekunde und Pin an. Aktueller MDDR-Speicher ist mit 333 bis 400 Mbit/s deutlich langsamer. Neben dem monolithischen Speicherchip gibt es auch ein acht Gigabit großes Modell, für das zwei 4-Gigabit-Chips in einem Gehäuse übereinander gestapelt werden und dessen Produktion noch diesen Monat anlaufen soll.

Bisher waren zur Realisierung von einem Gigabyte noch vier 2-Gigabit-Chips nötig. Dank des neuen Chips lässt sich die Gehäuse-Bauhöhe nun um 20 Prozent auf 0,8 Millimeter reduzieren. Zudem soll die Leistungsaufnahme – für Low-Power-Speicher noch wichtiger – um 25 Prozent niedriger sein. Weiterhin plant Samsung auch mit dem neuen Speicherchip wieder einen Stack aus vier Chips mit einer Gesamtkapazität von zwei Gigabyte (16 Gigabit) anzubieten. Dessen Produktion soll im April beginnen.