Intel und Micron eröffnen NAND-Fabrik in Singapur

Intel und Micron haben offiziell die dritte Produktionsstätte ihres Joint Ventures IM Flash Technologies vorgestellt. Das Investitionsvolumen für IM Flash Singapore betrug nach Unternehmensangaben drei Milliarden US-Dollar und ergänzt die Produktionskapazitäten für NAND-Flash in Lehi, Utah und Manassas, Virginia.

Die Fabrik produziert basierend auf Wafern mit einem Durchmesser von 300 Millimeter NAND-Flash-Chips im aktuellen 25-nm-Verfahren der beiden Halbleiterunternehmen und schafft rund 1.200 Arbeitsplätze. Das Hochfahren der Produktion begann bereits vor der nun erfolgten offiziellen Eröffnung Mitte letzten Jahres. Die volle Produktionskapazität soll aber erst im Laufe dieses Jahres erreicht werden. Ebenfalls noch in diesem Jahr soll die Umstellung auf die Produktion im 20-Nanometer-Verfahren erfolgen, das Intel und Micron erst vor einer Woche vorgestellt haben und das bei ähnlicher Lebensdauer und Leistung Flash-Speicher mit 30 bis 40 Prozent weniger Platzbedarf ermöglichen soll. Vor zwei Tagen kündigte Micron darüber hinaus den Ausbau der Kapazitäten für Halbleiter-Tests und zur Modulmontage im chinesischen Xi'an an.