Toshiba legt nach: NAND-Flash-Speicher mit 19 nm

Nachdem Intel und Micron vor einer Woche ihren 20-Nanometer-Herstellungsprozess für NAND-Flash vorgestellt hatten, kann Toshiba heute die Messlatte noch ein Stück höher – je nachdem wie man es betrachtet auch tiefer – legen und präsentiert die ersten NAND-Flash-Speicherchips mit einer Strukturbreite von nur 19 Nanometern.

Damit setzt sich Toshiba zunächst an die Spitze im Bereich der feinsten Fertigungsgröße von NAND-Flash. Jede Verkleinerung des Herstellungsverfahrens senkt unter anderem die Produktionskosten, was im Endeffekt günstigere Chips bedeutet. Die ersten Samples der 19-nm-Chips von Toshiba sollen bereits Ende dieses Monats verfügbar sein. Doch bis die Speicherbausteine in die Massenproduktion gehen, soll es noch eine Weile dauern. Man peilt dabei das dritte Quartal dieses Jahres an.

Zunächst gelang es Toshiba die 19-nm-Technik bei 64-Gbit-Chips mit zwei Bit pro Zelle umzusetzen, die damit nicht nur die kleinsten ihrer Art sind, sondern auch mit 8 GByte die bis dato größte Speicherkapazität auf einem einzelnen Chip ermöglichen. Ein Package aus 16 dieser Speicherchips bietet somit ein Volumen von 128 GByte und soll künftig vor allem in Geräten wie Tablet-PCs und Smartphones Verwendung finden. Außerdem kommt Toggle DDR2.0 zum Einsatz, was die Datentransferraten steigern soll. Später sollen auch NAND-Bausteine mit 3 Bit pro Zelle in 19 nm gefertigt werden, was die Kapazität nochmals erhöht.