Intel-Roadmap: 14 nm ab 2013, 10 nm ab 2015

Beflügelt durch den ersten marktreifen Tri-Gate-Transistor hat Intel auch die Zukunftspläne für die kommenden Jahre vorgelegt. Mit dem 3D-Transistor ist es möglich, Moores Law fortzuführen, was direkte Auswirkungen auf die anstehenden Fertigungspläne hat.

Auch wenn der Fokus erst einmal auf der 22-nm-Fertigung liegt, für die insgesamt fünf 300-mm-Wafer-Fabriken umgerüstet werden, plant man bei Intel bereits für die nachfolgenden Schritte. Demnach liege man aktuell im Zeitplan für die 14-nm-Fertigung – in der Frage-und-Antwort-Runde behandelten zahlreiche Fragen genau diese zukünftige Geschichte. Viele davon blieben von Intel aber unkommentiert, da man sich erst einmal auf 22 nm fokussiere.

Im zweiten Halbjahr dieses Jahres soll die 22-nm-Fertigung in die Massenproduktion gehen. Den gleichen Zeitplan stellt man auch für die 14-nm-Fertigung für Ende 2013 in Aussicht und die 10-nm-Verfahrensweise Ende 2015.

Für die immer kleiner werdenden Strukturen muss Intel jedoch auch in die Umrüstung der Fabriken investieren. Aktuell baut der Konzern deshalb bereits zwei neue Fabs, die allein für die Forschung und Entwicklung sowie Fertigung von 14 nm kleinen Strukturen und darüber hinaus ausgelegt sein werden. Parallel zu den neuen Fabriken werden nach und nach alte umgerüstet, wobei manche von ihnen mehrere Fertigungsschritte überspringen. So rüstet Intel auch die 15 Jahre alte Fab 12 in Chandler, Arizona, direkt von der 65-nm-Fertigung auf 22 nm um, die erstmals für die 45-nm-Fertigung genutzte Fab 28 in Israel wird ebenfalls 32 nm überspringen und direkt auf 22 nm umgerüstet.