Samsung qualifiziert 28-nm-LP-HKMG-Prozess

Samsungs Foundry-Geschäftszweig hat einen neuen 28-Nanometer-Fertigungsprozess für die Herstellung energiesparender mobiler Halbleiterprodukte mit „High-k Metal Gate“-Technologie (HKMG) qualifiziert. Der Prozess sei ab sofort bereit für die Risikoproduktion von Kundendesigns.

Verglichen mit einem 45-nm-LP-SoC-Design soll der neue Prozess bei gleicher Taktfrequenz sowohl im Standby als auch bei Aktivität 35 Prozent weniger Leistung benötigen. Alternativ könne bei gleich bleibendem Verbrauch aber auch die Taktfrequenz um 30 Prozent erhöht werden.

Zusätzlich zum neuen LP-Prozess hat Samsung heute auch noch einen 28-nm-LPH-Prozess angekündigt, der speziell für Mobilprozessoren mit Taktraten von über 2 GHz entwickelte wurde. Im Vergleich zum 45-nm-LP-Prozess soll er bei Hochleistungschips unter Last bei gleicher Taktfrequenz 60 Prozent weniger Leistung benötigen beziehungsweise bei gleicher Leistungsaufnahme 55 Prozent höhere Taktraten möglich machen.

Laut Samsung sind bereits mehrere Kundendesigns mit dem neuen Prozess validiert worden. Weitere Produkte und Testchips werden derzeit zu diesem Zweck auf Samsungs „S Line“ in Giheung, Südkorea gefertigt.