Hynix und Toshiba kooperieren beim MRAM

Hynix und Toshiba haben heute eine strategische Zusammenarbeit zur gemeinsamen Entwicklung von sogenanntem Spin-Transfer Torque Magnetoresistance Random Access Memory (MRAM) bekanntgegeben. Sobald die Entwicklung der Technologie abgeschlossen ist, planen die Unternehmen durch ein Joint-Venture auch gemeinsam zu produzieren.

Darüber hinaus haben Hynix und Toshiba ihr Lizenzaustauschabkommen sowie ihre Liefervereinbarungen erweitert. Ziel der Kooperation ist es unter anderem, das Risiko der Entwicklung einer neuen Technologie zu minimieren und schneller marktreife Produkte zu erhalten. Dabei hat man zunächst vor allem den Markt für mobile Geräte im Blick, die im besonderen Maße auf eine hohe Speicherdichte und einen geringen Energiebedarf angewiesen sind.

MRAM ist im Gegensatz zu DRAM eine nichtflüchtige Speichertechnologie, das heißt die Daten bleiben auch nach der Trennung des Speichers von der Stromversorgung erhalten. Zudem zeichnet sich der Speicher durch Energieeffizienz sowie eine hohe Geschwindigkeit und Speicherkapazität aus. Während bei DRAM Kondensatoren als Speicherelement dienen, werden bei MRAM zum Schreiben und Speichern der Daten magnetische Eigenschaften genutzt.

Im Falle von Hynix und Toshiba ist dies der Magnetische Tunnelwiderstand (TMR), der in magnetischen Tunnelkontakten (MTJ) auftritt. Will man Daten schreiben, wird die magnetische Orientierung einer dünnen magnetischen Schicht im MTJ-Element mit Hilfe eines spinpolarisierten Stroms verändert. Zum Lesen der Daten wird der Widerstand des Elements gemessen, der von der Magnetisierung des MTJ abhängig ist.

Eine weitere Alternative zum traditionellen DRAM ist das PRAM, bei dem die unterschiedlichen Widerstände von Phasenwechselmaterialien im amorphen und kristallinen Zustand zur Unterscheidung von 0 und 1 genutzt werden. In diesem Bereich hatte IBM erst vor ein paar Tagen einen Durchbruch vermeldet, der das Speichern von zwei Bit pro Zelle erlaubt.