Speicherkarten mit 3-Bit-Zellen von Samsung
Samsung hat mit der Produktion von schnellen microSD-Speicherkarten begonnen, die speziell für den Einsatz in 4G-Smartphones entwickelt worden seien. Dabei kommt 3-Bit-Zellen-Flash mit einer besonders hohen Speicherdichte zum Einsatz, den Samsung im vergangenen Oktober erstmals im aktuellen Fertigungsprozess herstellte.
Die damals gezeigten, in einem Prozess der 20-Nanometer-Klasse – das heißt zwischen 20 und 29 Nanometer – gefertigten und 64 Gigabit großen Speicherchips mit Toggle-DDR-Schnittstelle sollen jedoch erst Anfang 2012 in die Massenproduktion gehen. In den neuen Speicherkarten kommen zunächst 32 Gigabit große Speicherchips zum Einsatz, die im gleichen Fertigungsprozess hergestellt werden und auch drei Bit pro Zelle speichern. Verglichen mit den ebenso großen Speicherchips, die bisher in einem Prozess der 30-Nanometer-Klasse gefertigt werden und seit Februar letzten Jahres in Speicherkarten zum Einsatz kommen, habe man die Produktivität durch die feineren Strukturen um über 30 Prozent steigern können.
Die 3-Bit-Speicherchips sind zwar nicht ganz so schnell und fehleranfälliger als MLC- oder gar SLC-Speicherchips, für Speicherkarten und USB-Sticks sind die Leistungsdaten aber in der Regel absolut ausreichend und werden vom Kostenvorteil durch die höhere Speicherdichte mehr als ausgeglichen. Die 32 Gigabyte großen microSD-Karten mit Class-10-Zertifizierung sollen ausreichend Leistung für das Aufnehmen von Full-HD-Videos zur Verfügung stellen und Schreib- beziehungsweise Lesegeschwindigkeiten von 12 respektive 24 Megabyte pro Sekunde bieten. Zum Preis machte Samsung keine Angaben.