Samsung entwickelt 32-GB-RDIMM mit TSV-Technologie

Samsung hat die Entwicklung eines 32 Gigabyte großen DDR3-RDIMMs für Server angekündigt, bei dem die 4-Gigabit-Speicherchips mittels TSV-Technologie übereinander gestapelt werden. Die Speicherchips werden in einem Prozess der 30-Nanometer-Klasse gefertigt, das heißt die Strukturbreite beträgt zwischen 30 und 39 Nanometer.

Die neuen Speichermodule können Daten mit bis zu 1.333 Megabit pro Sekunde übertragen und sind damit 70 Prozent schneller als bisherige Quad-Rank-32-GB-RDIMMs, die lediglich 800 Megabit pro Sekunde schaffen. Darüber hinaus wirbt Samsung mit einem geringen Energieverbrauch von nur 4,5 Wh, was bei Speichermodulen speziell für Unternehmensserver der geringste Energieverbrauch sei. Gegenüber dem ebenfalls mit Speicherchips der 30-nm-Klasse gefertigten 32-GB-LRDIMM (Load-Reduced Dual-Inline Memory Modul) soll das neue 32-GB-Modul etwa 30 Prozent zusätzliche Energieeinsparung bieten.

Ermöglicht wird dies durch den Einsatz der TSV-Technologie (Through Silicon Via), dank der ein Bauteil mit mehreren übereinander gestapelten Chips (Multi-Stacked Chip) vergleichbar mit einem einzigen Siliziumchip funktioniert. Da dabei die Signalleitungen wesentlich verkürzt werden, reduziert sich der Energieverbrauch. Gleichzeitig wird eine höhere Speicherkapazität sowie eine höhere Signalübertragungsgeschwindigkeit erreicht. Engineering-Muster der neuen Module wurden bereits zur Evaluierung ausgeliefert.