4-Gbit-DDR3-DRAM-Chip in 25 nm von Elpida

Nach der Auslieferung erster Muster von 2 Gbit großem 25-nm-DDR3-DRAM hat der japanische DRAM-Hersteller Elpida nun auch die Entwicklung eines 4 Gbit großen Speicherchips in 25 Nanometer Strukturbreite abgeschlossen und plant sowohl die Auslieferung von Mustern als auch die Massenproduktion für das Ende des Jahres.

Verglichen mit den in 30 Nanometer Strukturbreite gefertigten DDR3-DRAM-Chips mit ebenfalls 4 Gbit Kapazität sollen die neuen Speicherchips eine 45 Prozent höhere Produktivität bieten. Gleichzeitig soll der für den Betrieb nötige Strom niedriger ausfallen. Bei Aktivität gibt Elpida 25 bis 30 Prozent weniger an, im Standby sogar 30 bis 50 Prozent. Bei einer Betriebsspannung von 1,5 Volt arbeiten die DDR3-Chips mit DDR3-1866 und mehr. Der Low-Voltage-Betrieb mit 1,35 Volt dürfte ebenso wie bei den 2-Gbit-Chips DDR3-1600 erlauben.