Erstes LPDDR3-DRAM der 30-nm-Klasse von Samsung

Samsung hat erstmals einen vier Gigabit großen LPDDR3-DRAM-Baustein (Low Power DDR3) für den Einsatz in Mobilelektronik entwickelt, der in einem Prozess der 30-Nanometer-Klasse gefertigt wird. Gegenüber dem zur Zeit für Smartphones, Tablet-PCs und Co. genutzten LPDDR2-DRAM bietet der neue Speicher u.a. höhere Transferraten.

Samsung gibt eine maximale Transferrate von 1.600 Mbit/s pro Datenpin an, während LPDDR2 derzeit mit maximal 1.066 Mbit/s erhältlich ist. Darüber hinaus soll aber auch die Leistungsaufnahme im Vergleich zu LPDDR2 um 20 Prozent gesenkt worden sein. Ein aus zwei gestapelten 4-Gbit-LPDDR3-Chips bestehender DRAM-Baustein mit einer Gesamtkapazität von einem GB soll so eine maximale Datentransferrate von 12,8 Gigabyte pro Sekunde erreichen. Mit der Auslieferung von Mustern an verschiedene Hersteller will Samsung im nächsten Quartal beginnen. Anfang nächsten Jahres soll zudem ein 2-GB-DRAM-Baustein erhältlich sein, für den vier der 4-Gbit-Chips gestapelt werden.