Prototyp von Microns „Hybrid Memory Cube DRAM“

Anfang des Jahres stellte Micron das „Hybrid Memory Cube DRAM“ vor. Ganz rudimentär handelt es sich dabei um eine dank TSV-Technologie in die dritte Dimension gebaute Alternative zu DRAM-Modulen, die gleich mehrere entscheidende Vorteile bietet. Auf dem IDF gibt es nun einen Prototypen zu sehen.

Der Stapel besteht aus mehreren DRAM-Schichten, die mit TSV-Verbindungen direkt auf einem Steuerungschip aufgesetzt werden. Solch ein „Stapel-RAM“ ist an sich nicht neu und wird zum Beispiel schon von Samsung in speziellen RDIMMs eingesetzt. Der On-Chip-Controller ist in dieser Form bisher allerdings noch nirgends zu finden und soll für den enormen Schub in Sachen Leistung sorgen.

Der wichtigste Vorteil ist dabei eine deutlich höhere Datenübertragungsrate, als sie Speichermodule liefern können. So gibt Micron für den 512 MB großen Prototypen eine Datenübertragungsrate von 128 Gigabyte pro Sekunde an. Ein 4 GB großes DDR3-1333-Modul ist im Gegensatz dazu mit 10,66 GB/s deutlich im Hintertreffen. Darüber hinaus ist aber auch der Strombedarf der platzsparenden Bausteine bezogen auf die Übertragungsrate deutlich niedriger. Micron gibt für den Hybrid Cube 62,23 Milliwatt pro GB/s an, während das oben beschriebene Speichermodul auf 431,83 Milliwatt kommt.

Bei moderneren DRAM-Varianten sinkt der Wert zwar deutlich, das sollte aber ebenso für einen auf aktueller DRAM-Technologie basierenden Hybrid Cube gelten. Erste Anwendungen soll es nach wie vor erst 2013 im Enterprise-Bereich geben. Weitere Einzelheiten könnte es aber schon am Donnerstag geben, wenn Intels Chief Technology Officer Justin Rattner im Rahmen seiner Keynote ein Demosystem zeigt.