Samsung entwickelt 1,25-Volt-Speichermodule

Samsung hat die Entwicklung von DDR3-RDIMM-Modulen mit 4 Gbit großen DDR3-Speicherchips der 30-Nanometer-Klasse bekannt gegeben, die mit einer Speicherspannung von lediglich 1,25 Volt arbeiten und dadurch einen besonders geringen Energiebedarf haben.

So soll ein 16 GB großes RDIMM bei einer Spannung von 1,25 Volt lediglich 3,7 Watt aufnehmen und mit einem Durchsatz von bis zu 1.333 Mbit/s arbeiten. Gegenüber einem mit 1,35 Volt Spannung arbeitenden, gleich großen und ebenfalls mit 4 Gbit großen DDR3-Chips der 30-Nanometer-Klasse bestückten RDIMM entspreche dies einer Energieersparnis von etwa 15 Prozent. Dieses Modul galt bisher als Lösung mit der niedrigsten Leistungsaufnahme. Verglichen mit 2 Gbit großen Speicherchips der 40-Nanometer-Klasse – bei 1,35 Volt und 16 GB Modulgröße – sollen es etwa 60 Prozent Energieersparnis sein. Samsung plant, unmittelbar nach der Qualifizierung durch wichtige OEMs mit der Massenproduktion von 4, 8 und 16 Gigabyte großen Modulen zu beginnen.