HP: Memristor-Chips sollen 2013 Flash-Speicher ablösen

Vor über einem Jahr hatten HP und Hynix die Kooperation bei der Entwicklung einer neuartigen Speichertechnologie verkündet. Als Basis dient die bereits 1971 vorausgesagte „Memristor“-Technik. Auf dem International Electronics Forum 2011 kündigte HP nun eine darauf basierende Alternative zu herkömmlichem Flash-Speicher an.

Laut HP-Forscher Stan Williams sollen in etwa eineinhalb Jahren erste Memristor-Chips auf den Markt kommen und von da ab Flash ersetzen und entsprechend auch in SSDs Verwendung finden. Vermutlich 2014, aber sicher 2015 soll auf gleicher technischer Basis ein Nachfolger für DRAM und später auch für SRAM folgen. Für Flash-Speicher gebe es keine Zukunft mehr, erklärte Williams, wie ElectronicsWeekly berichtet.

„We’re planning to put a replacement chip on the market to go up against flash within a year and a half,“ (...) „and we also intend to have an SSD replacement available in a year and a half.“ (...) „Flash is a done deal,“

HP-Forscher Stan Williams

Gegenüber DRAM glaubt man, den Energiebedarf beim Schalten pro Bit um zwei Größenordnungen senken zu können. Die Technik soll es zudem ermöglichen, dünne Speicher-Schichten (Layer) direkt auf Prozessoren zu platzieren. Somit entfalle der sonst relativ weite Datenweg zu externem Speicher, wodurch die Leistung enorm zunehme. Die Layer sollen eine Dicke von 5 Nanometern besitzen und dabei 500 Milliarden „Memristoren“ enthalten.

Laut Williams sei man bei der Entwicklung des nicht-flüchtigen Speichers bereits weiter, als zunächst gedacht. Es sollen schon Hunderte von Wafern gefertigt werden. Später will man die Technologie an beliebige Interessenten lizenzieren; die Liste jener sei bereits lang. Als Produktname für die Memristor-Chips wurde bereits im Vorfeld „ReRAM“ genannt.

Doch laut Williams arbeite auch die Konkurrenz an entsprechender Technik: So soll Samsung „mit einer noch größeren Forschergruppe“ daran arbeiten. Einen ähnlichen technischen Ansatz verfolgen zudem Forscher der North Carolina State University mit dem von ihnen entwickelten „Double Floating-Gate Field Effect Transistor“.

Memristor ist dabei eine Abkürzung für memory resistor. Er gilt als das „vierte Element“ der passiven Schaltungen. Die Technik an sich wurde schon 1971 an der University of California in Berkeley entwickelt, die praktische Umsetzung hat jedoch bis 2008 angedauert.