Micron und Samsung kooperieren bei Speicherwürfel
Die Entwicklung von Microns sogenanntem Hybrid Memory Cube nimmt immer konkretere Formen an und wird nun von weiteren Firmen unterstützt. Gemeinsam mit anderen Unternehmen haben Micron und Samsung das Hybrid Memory Cube Consortium (HMCC) gegründet, das zunächst eine Spezifikation für verschiedene Einsatzgebiete erarbeiten soll.
Ziel ist es, mit dem HMC die in vielen Anwendungsfällen als Flaschenhals wirkenden Datenübertragungsraten des Arbeitsspeichers massiv zu erhöhen. Doch dies ist nicht der einzige Vorteil, den ein HMC gegenüber traditionellen DRAM-Modulen bieten kann. Durch die kurzen Signalleitungen ist die Leistungsaufnahme bezogen auf die Bandbreite deutlich niedriger.
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Micron Hybrid Memory Cube DRAM
Möglich wird dies, da ein HMC aus mehreren, übereinander gestapelten DRAM-Dies besteht, die mit TSV-Verbindungen direkt auf einem Steuerungschip aufgesetzt werden. Solch ein „Stapel-RAM“ ist an sich nicht neu und wird zum Beispiel schon von Samsung in speziellen RDIMMs eingesetzt. Der On-Chip-Controller ist in dieser Form bisher allerdings noch nirgends zu finden und soll für den enormen Schub in Sachen Leistung sorgen.
Der 512 MB große HMC-Prototyp, den Micron Anfang September auf dem Intel Developer Forum zeigte, erreicht eine Datenübertragungsrate von 128 Gigabyte pro Sekunde. Ein 4 GB großes DDR3-1333-Modul ist im Gegensatz dazu mit 10,66 GB/s deutlich im Hintertreffen. Auch zur Leistungsaufnahme der platzsparenden Bausteine gibt es erste Informationen. Bezogen auf die Übertragungsrate gibt Micron für den HMC 62,23 Milliwatt pro GB/s an, während das oben beschriebene Speichermodul auf 431,83 Milliwatt kommt.
Derzeit gehören dem Konsortium neben Micron und Samsung auch noch Altera, Open Silicon und Xilinx an, es steht jedoch weiteren Firmen offen. Erste Anwendungen im Bereich der Unternehmensanwendungen soll es 2013 geben. Im Endkundenbereich rechnet Micron mit ersten Produkten ab 2015 oder 2016.