Samsung investiert 7 Mrd. US-Dollar in neue NAND-Flash-Fertigung

Mit einer Investition in Höhe von sieben Milliarden US-Dollar will Samsung seine führende Rolle bei der Herstellung von NAND-Flash-Speicher weiter ausbauen. Diese Summe soll in eine neue Fertigungseinrichtung im chinesischen Xi'an fließen, die bereits im kommenden Jahr die Produktion aufnehmen soll.

In der ersten Phase sollen 2,3 Milliarden US-Dollar zum Bau und zur Inbetriebnahme des Werks ausgegeben werden. Nach der Fertigstellung und dem Erreichen der vollen Kapazität sollen dann monatlich bis zu 100.000 12-Zoll-Wafer produziert werden. Samsung setzt dabei nach eigenen Angaben eine Fertigungsbreite der „Zehn-Nanometer-Klasse“.

Für den Standort China hat sich das südkoreanische Unternehmen aufgrund der dort wachsenden Chip-Industrie und der starken Nachfrage nach Elektronik entschieden. Im Endausbau gehört die Anlage in Xi'an dann zu den größten ihrer Art. Zuletzt hatte Samsung im Spätsommer 2011 eine Speicherfertigung in Südkorea in Betrieb genommen. Dort sollen zu einem späteren Zeitpunkt monatlich bis zu 200.000 12-Zoll-Wafer hergestellt werden.