Micron legt vor: 16-nm-NAND-Flash wird bemustert
Die Flash-Speicher-Hersteller sind inzwischen bei einer Strukturbreite von 20 respektive 19 nm angekommen – entsprechende Chips sind schon seit einer Weile in Endprodukten verfügbar. Micron verkündet nun einen weiteren Schritt hin zur nächsten Generation mit 16 nm: Muster auf Basis der neuen Fertigungstechnik sind verfügbar.
Zusammen mit „ausgewählten Partnern“ werden die 128-Gigabit-MLC-Chips bemustert. Die Massenproduktion soll jedoch erst im vierten Quartal 2013 anlaufen. Für das kommende Jahr stellt der Speicherspezialist zudem erste SSDs auf Basis des 16-nm-NAND-Flash in Aussicht. Auch in USB-Sticks, Speicherkarten und diversen Mobilgeräten wie Tablets soll der neue Speicher Verwendung finden.
Micron spricht dabei stolz vom „führenden“ Herstellungsprozess für NAND-Flash und bezeichnet die 128-Gigabit-Prototypen als „kleinste der Branche“. Damit einher gehe zudem „der niedrigste Preis aller existenten MLC-Bausteine“, denn ein kleinerer Prozess bedeutet kleinere Chips bei gleicher Kapazität und je weniger Fläche die Chips auf einem Wafer belegen, umso geringer sind die Herstellungskosten. Auf einem einzelnen 300-mm-Wafer sollen mit der neuen Technik „nahezu 6 Terabyte“ Speicherplatz geschaffen werden, so der Hersteller.
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NAND-Die mit 16 nm (Bild: Micron)
