Samsung produziert 3 GB RAM für Smartphones

Die Speicherhersteller arbeiten stetig daran, neue Chips mit mehr Kapazität zu entwickeln, die den Arbeitsspeicher kommender Smartphones erhöhen sollen. Bevor Module mit 4 Gigabyte Kapazität ihren Weg in High-End-Smartphones finden, sollen ab der zweiten Jahreshälfte zunächst 3-Gigabyte-DRAMs Verwendung finden, so Samsung.

Am Mittwoch verkündete der südkoreanische Hersteller den Beginn der Massenproduktion vom „industrieweit ersten Low-Power Double Data Rate 3 (LPDDR3) Mobile DRAMs mit 3 Gigabyte“. Dieser soll künftig 2-GB-Module ablösen und stellt die aktuell höchste (marktreife) Speicherkapazität in diesem Bereich dar. Zwar hatte Konkurrent SK Hynix bereits im Juni die Entwicklung von 8-Gigabit-LPDDR3-Chips verlauten lassen, mit denen Arbeitsspeicher-Module mit 4 Gigabyte realisiert werden sollen, allerdings handelt es sich dabei noch um Prototypen, die derzeit bemustert werden. Erst gegen Ende des Jahres soll die Massenproduktion beginnen, sodass mit 4 GB RAM in Smartphones nicht vor 2014 zu rechnen ist.

Im Verlauf der zweiten Jahreshälfte 2013 sollen zunächst Samsungs 3-GB-Lösungen ihren Weg in Produkte wie Smartphones finden. Die Grundlage bilden dabei sechs LPDDR3-Speicherchips mit jeweils 4 Gigabit, die laut Hersteller in einem Verfahren der „20-nm-Klasse“ hergestellt werden. Wie auch im NAND-Flash-Segment gewohnt nennt Samsung dabei keinen genaue Angabe der Strukturbreite, sodass hiermit Werte zwischen 20 und 29 Nanometern gemeint sein können. Um die Module möglichst kompakt zu halten, werden die Chips in einer symmetrischen Struktur in Sets mit jeweils drei Chips übereinander gestapelt (stacking). Dennoch soll die Höhe des Modulgehäuses lediglich 0,8 mm betragen und somit auch besonders flachen Smartphones nicht im Weg stehen. Ferner gibt Samsung Datenübertragungsraten von 2.133 Megabit in der Sekunde pro Pin bei den neuen Speicherlösungen an.

Dank der symmetrischen Struktur sollen Mobilprozessoren über zwei Datenkanäle auf den Speicher zugreifen können, wobei pro Kanal jeweils 1,5 Gigabyte angesprochen werden. Wie im PC-Bereich soll dieser „Dual-Channel-Modus“ Leistungsvorteile gegenüber asynchroner Übertragung bieten.

Möglichen Fragen bezüglich des Bedarfs solch hoher Speichermengen in Smartphones begegnet Samsung mit folgenden Argumenten: Zum einen sollen „Full-HD-Videos ruckelfrei“ abspielbar sein, zum anderen das „Multitasking beschleunigt“ werden. Außerdem soll der neue Speicher das „Herunterladen von Daten beschleunigen“ und „komplette Unterstützung für LTE Advanced Services“ bieten.

Samsungs Executive Vice President der Marketing-Abteilung der Speichersparte ist wenig überraschend davon überzeugt, dass sich 3 Gigabyte RAM in Smartphones der Oberklasse etablieren werden und gibt zudem einen Ausblick auf die Weiterentwicklung.

„Mobile DRAM mit drei Gigabyte wird in den modernsten Smartphones der High-End-Klasse ab der zweiten Jahreshälfte eingesetzt werden - ein erster Einsatz, der sich nächstes Jahr auf die meisten Smartphones der High-End-Klasse weltweit ausdehnen wird“ (...) „Wir werden eine neue 3GB LPDDR3 Lösung entwickeln, die auf vier 6Gb LPDDR3 DRAM-Chips basiert. Dazu stapeln wir zwei Chips auf jeder Seite symmetrisch. Dies wird die Leistungsfähigkeit von Smartphones bis zum Ende des Jahres auf die nächst höhere Stufe bringen“.

Young-Hyun Jun, Executive Vice President, Samsung Electronics