Branche will MRAM-Entwicklung vereint vorantreiben

Laut einem asiatischen Wirtschaftsmagazin schließen sich Branchengrößen aus Asien und den USA zusammen, um gemeinsam die Produktion von MRAM voranzutreiben. Der seit Jahren in Entwicklung befindliche Speichertyp kommt bisher nur vereinzelt und mit geringen Kapazitäten beispielsweise als Zwischenspeicher zum Einsatz.

Wie Nikkei Asian Review berichtet, sollen sich an dem Projekt mehr als 20 japanische und US-amerikanische Unternehmen der Halbleiterbranche beteiligen. Ziel sei es, die Entwicklung von Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) zu beschleunigen und eine Methode zur Massenproduktion zu entwickeln, sodass diese ab 2018 eingesetzt werden kann. Angeblich erwarte Micron, in jenem Jahr mit der Serienfertigung zu beginnen.

Am Gemeinschaftsprojekt sollen sich laut dem Bericht von japanischer Seite unter anderem der Elektronikriese Hitachi, der größte Silizium-Wafer-Produzent Shin-Etsu Chemical, der Ausrüster für Halbleiterhersteller Tokyo Electron sowie Renesas Electronics beteiligen. Aus den USA wird mit Micron ein großer DRAM- und NAND-Flash-Hersteller genannt. Andere große Speicherhersteller wie Samsung, SK Hynix und Toshiba arbeiten bekanntlich ebenfalls an MRAM, werden aber zunächst nicht der Vereinigung zugeschrieben. Auch Intel sieht in MRAM großes Potenzial.

MRAM gilt als Alternative zu Flash-Speicher oder DRAM und vereint Eigenschaften beider Techniken. Genau wie NAND-Flash handelt es sich um nicht-flüchtigen Speicher: Daten bleiben auch ohne Stromzufuhr erhalten, was bei DRAM nicht der Fall ist. In puncto Wiederbeschreibbarkeit und Zugriffszeiten soll MRAM wiederum Flash überlegen sein und weist diesbezüglich Ähnlichkeiten zu DRAM auf. Zudem soll der Speicher wesentlich weniger Energie als Flash benötigen und gilt daher insbesondere im Bereich mobiler Computer wie Tablets und Smartphones als potentielle Technik der Zukunft.

Zum Schreiben und Speichern der Daten werden dabei magnetische Eigenschaften genutzt. Im Falle von STT-MRAM ist dies der Magnetische Tunnelwiderstand (TMR), der in magnetischen Tunnelkontakten (MTJ) auftritt. Will man Daten schreiben, wird die magnetische Orientierung einer dünnen magnetischen Schicht im MTJ-Element mit Hilfe eines spinpolarisierten Stroms verändert. Zum Lesen der Daten wird der Widerstand des Elements gemessen, der von der Magnetisierung des MTJ abhängig ist.

Neben MRAM gelten auch Phase Change Memory sowie Resistive Memory (ReRAM) als mögliche Nachfolger von herkömmlichem DRAM.