iNAND-Extreme-Flash von SanDisk in neuer Generation

Auf dem MWC 2014 gibt es auch Abseits von Smartphones oder Tablets interessante neue Entwicklungen zu erhaschen. Mit dem „iNAND-Extreme-Embedded-Flash-Drive“ hat SanDisk als Entwickler von Flashspeicher-Lösungen seine Neuheit für diesen Bereich präsentiert, um zukünftigen mobilen Geräten zu mehr Leistung zu verhelfen.

Oft ist im Zusammenhang mit Tablets und Smartphones bei den technischen Spezifikationen vom Prozessor oder der Grafikeinheit als alleinige Gradmesser für die Leistung die Rede. Auf die Speicherbausteine wird nicht näher eingegangen. Die neuen „iNAND Extreme“-Flashspeicher von SanDisk sollen mit Hilfe der zweiten Generation der 19-nm-Fertigung und durch eine verbesserte Architektur, für gleichbleibend hohe Performance-Werte sorgen. Durch Dual-Core-Design, optimierte Hard- und Software-Algorithmen für die Datenverwaltung sowie die aktuellste e.MMC-5.0-Spezifikation (HS-400) sollen sie für ein schnelleres Datenmanagement verantwortlich zeichnen. SanDisk spricht von einer drei Mal höheren Random-Schreibgeschwindigkeit (80 MB/s) und einer doppelt so hohen sequentiellen Lesegeschwindigkeit (300 MB/s) im Vergleich zum aktuellen iNAND Extreme Embedded Flash Drive (EFD).

Über den reinen Ausbau an Bandbreite und geringerer Verzögerungen hinaus, sollen die iNAND-Extreme-Chips zusätzlich in den Abmessungen reduziert, gleichzeitig aber die mögliche Kapazität pro Baustein erhöht worden sein, was den Herstellern entsprechender Geräte einen Zugewinn an Flexibilität beschert. Auf einer Fläche von 11,5 × 13 × 1 Millimeter Höhe können so bis zu 64 Gigabyte Kapazität bereitgestellt werden.

Die Auslieferung der nächsten Generation iNAND-Extreme-Speicher soll im zweiten Quartal dieses Jahres erfolgen.