Erste 20-nm-DDR3-DRAM-Chips von Samsung

Nach der jüngsten Verlautbarung, die 25-nm-DDR3-DRAM-Produktion deutlich steigern zu wollen, gibt Samsung nun einen weiteren „Meilenstein“ bekannt: Der Hersteller startet mit der Massenfertigung von 4-Gigabit-Chips in 20 Nanometer Strukturbreite. Die Energieeffizienz soll gegenüber 25 nm bis zu 25 Prozent verbessert worden sein.

Denselben Fortschritt will Samsung in der Fertigung realisiert haben. Gegenüber 30 Nanometern soll die Produktivität in der Fertigung sogar verdoppelt worden sein.

Erreicht hat Samsung diese Verbesserungen nach eigenen Angaben nicht nur durch den neuen Prozess, sondern auch durch ein weiterentwickeltes Chip-Design. Im Detail nennt Samsung die Modifikation der eigenen „double patterning technology“, die eine höhere Leistungsausbeute einzelner Speicherzellen möglich macht.