DDR4-RAM mit 128 Gigabyte bei SK Hynix in Arbeit

SK Hynix verkündet die Entwicklung erster DDR4-Speichermodule mit einer Kapazität von 128 Gigabyte. Durch die gegenüber den bisher größten RAM-Riegeln bei DDR4 mindestens verdoppelte Speicherdichte, werden pro Modul-Seite bis zu 64 GB verbaut. Zudem wird in Teilen auf die TSV-Technologie (Through Silicon Via) zurückgegriffen.

Die Basis der hochkapazitiven RAM-Module bilden dabei 8-Gigabit-DDR4-Speicherchips, die in einem Prozess der 20-nm-Klasse gefertigt werden. Der Hersteller bewirbt die doppelseitig bestückten DRAM-Module als First Highest Density. Nach den JEDEC-Spezifikationen für DDR4 arbeiten die neuen Hynix-Module bei einer maximalen Geschwindigkeit von 2.133 Megahertz über das 64-Bit-I/O-Interface mit einer Versorgungsspannung von 1,2 Volt. SK Hynix spricht von einem maximalen Datendurchsatz von 17 Gigabyte pro Sekunde.

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Den Beginn der Massenproduktion von 64 und 128 GB großen DDR4-Modulen terminiert SK Hynix zu diesem Zeitpunkt auf das erste Halbjahr 2015. Geplant ist ab dem kommenden Jahr der Einsatz in „Premium-Servern“, wobei allerdings keine konkreten Plattformen genannt werden.

Erst kürzlich hatte Micron die Unterstützung für die Intel Xeon E5-2600 v3 mit seinen DDR4-Modulen angekündigt und eine Verfügbarkeit am Markt für das dritten Quartal dieses Jahres in Aussicht gestellt. Bereits Ende des vergangenen Jahres hatte Samsung die eigene DDR4-SDRAM-Massenproduktion für das Server-Segment gestartet, die sich auf Basis von 4-Gbit-Chips noch in diesem Jahr auf dem Markt zeigen sollen. Dabei werden von beiden Herstellern bisher nur Kapazitäten von bis zu 32 Gigabyte pro Modul in Aussicht gestellt.