Qualcomms „Gobi“ beschleunigt LTE auf 300 Mbit/s

In Kooperation mit Qualcomm hat Huawei den ersten massentauglichen LTE-Chip mit Datenraten von bis zu 300 Mbit/s angekündigt. Das von Qualcomm im 20-nm-Prozess hergestellte LTE-Modul arbeitet mit der LTE-Advanced-Technologie (LTE-A) und konnte im abschließenden Category-6-Test die entsprechenden Vorgaben erreichen.

Huawei spricht in seiner Ankündigung zum LTE-Advanced-Test mit „Gobi 9x35“ von einem neuen Schlüssel für die Beschleunigung von Übertragungsraten im Mobilfunk und einem Meilenstein zur weiteren Verbreitung des schnelleren Standards, denn mit LTE-A können im Vergleich zum bisherigen LTE-Standard theoretisch doppelt so hohe Downloadgeschwindigkeiten erreicht werden. Aber auch auf der Uploadseite wird der von Qualcomm entwickelte LTE-Chip für eine höheren Durchsatz an Daten sorgen, obgleich Huawei hierzu keine genauen Werte nennt.

Die ersten Mobilfunknetze mit Unterstützung für LTE-Advanced sind bereits seit Ende 2012 aktiv und laufen als Pilotprojekte in verschiedenen Ländern. Huawei will seine Investitionen und Anstrengungen ausweiten, um die Entwicklungen des schnelleren LTE-A-Standard für Mobilfunkanbieter weltweit schmackhaft zu machen.