Samsung eröffnet Flash-Speicher-Fabrik in Xi'an
Samsung hat im chinesischen Xi'an eine weitere Fabrik für Flash-Speicher eröffnet und bekannt gegeben, dass die Produktion für sogenanntes 3D V-NAND bereits voll angelaufen ist. Die komplette Fertigstellung des 230.000 Quadratmeter großen Komplexes mit Montagewerk und Testlinie soll bis Ende des Jahres abgeschlossen sein.
Die rund sieben Milliarden US-Dollar teure Anlage wurde nach dem Spatenstich im September 2012 innerhalb von rund 20 Monaten fertiggestellt und stärkt durch die neuen Kapazitäten von monatlich bis zu 100.000 12-Zoll-Wafern Samsungs Rolle als einer der führenden Hersteller für Flash-Speicher.
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Samsung-Werk in Xi'an (Bild: Samsung)
Noch keine Angaben gibt es dazu, welcher Fertigungsprozess in Xi'an eingesetzt wird. Bei Beginn des Projektes war von Speicher der 10-nm-Klasse die Rede. Ob dies nun aber der aktuelle 19-nm-Prozess oder bereits die nächste Prozessgeneration ist, bleibt vorerst offen.
Das erste 3D V-NAND produziert Samsung bereits seit August 2013 in Serie, in den Endkundenprodukten des Unternehmens wird es bisher aber noch nicht genutzt, es bleibt aktuell dem Unternehmenseinsatz vorbehalten.
Verglichen mit planarem NAND bietet V-NAND gleich mehrere Vorteile. Die vertikalen Strukturen versprechen nicht nur eine höhere Speicherdichte und damit weiter sinkende Preise, sondern sollen sich auch positiv auf Langlebigkeit, Leistung und Energieeffizienz auswirken.