ATP aMLC: Firmware-Technik soll MLC-Flash verbessern

Der taiwanische Hersteller von NAND-Flash-Lösungen und DRAM-Modulen ATP kündigt eine neue Firmware-Technologie für Flash-Speicher an. Die advancedMLC (aMLC) genannte Technik soll Leistung und Langlebigkeit von herkömmlichem MLC-Flash deutlich erhöhen.

Das Prinzip hinter aMLC wird wie folgt beschrieben: Gewöhnlicher MLC-Speicher („mainstream MLC NAND“) wird auf Firmware-Ebene modifiziert, sodass statt den üblichen vier Ladungszuständen pro Speicherzelle nur deren zwei genutzt werden. Im Prinzip arbeitet der MLC-Speicher dann im SLC-Modus, der eine höhere Schreibgeschwindigkeit bietet und zudem mehr Schreibzyklen erlaubt.

ATP verspricht mit der aMLC-Technik eine Schreibleistung, die dicht an jener von SLC-Speicher liegt. Ferner soll die Anzahl möglicher Schreibzyklen (program-erase cycles, kurz P/E) von für MLC üblichen 3.000 P/E-Zyklen auf 40.000 P/E-Zyklen ansteigen. Eine Grafik veranschaulicht die versprochenen Vorzüge der Technik.

Mit aMLC will ATP die Vorzüge von teurem SLC-Speicher auf günstigeren und inzwischen deutlich weiter verbreiteten MLC-Speicher übertragen. Auf einen wesentlichen Aspekt wird in der Ankündigung jedoch nicht eingegangen: die Speicherdichte. Die Reduzierung von vier auf zwei Ladungszustände hätte die Folge, dass nur noch ein statt zwei Bit pro Speicherzelle geschrieben werden kann. Dementsprechend würde die Speicherkapazität halbiert werden und der Speicherdichtenvorteil von MLC nichtig. Eine diesen Aspekt betreffende Nachfrage seitens ComputerBase blieb bislang unbeantwortet. Was genau sich hinter aMLC verbirgt wird sich vermutlich erst am 7. August offenbaren, denn dann will ATP die Technik auf dem Flash Memory Summit 2014 präsentieren.

Die Idee, MLC-Speicher durch Firmware-Anpassungen im SLC-Modus zu betreiben ist an sich nicht neu. Einige Flash- respektive SSD-Hersteller nutzen auf diesem Weg einen Teil des MLC-Speichers als zusätzlichen SLC-Schreibcache. Beispiele im Consumer-Segment sind SanDisks „nCache“ und Samsungs „TurboWrite“.