Samsung produziert TLC-V-NAND für „850 Evo“-SSD

Auf dem Flash Memory Summit hat Samsung eine neue Variante des dreidimensionalen Flash-Speichers V-NAND vorgestellt. Nach der unter anderem in der 850 Pro eingesetzten MLC-Variante mit 2 Bit pro Speicherzelle startet nun die Produktion von TLC-V-NAND mit 3 Bit pro Zelle. Dieser wird voraussichtlich in der 850 Evo SSD eingesetzt.

Erneut kommen dabei 32 Lagen zum Einsatz. Die höhere Datendichte soll zum einen günstigere SSDs ermöglichen und zum anderen die Kapazitäten steigern. Eine Präsentationsfolie spricht von der ersten SSD auf Basis des 3-Bit-V-NAND und nennt dabei das Jahr 2014, weshalb zumindest die Vorstellung eines solchen Produktes noch in diesem Jahr wahrscheinlich ist. Der Produktname SSD 850 Evo als Nachfolger der 840 Evo ist die naheliegendste Vermutung, auch wenn dieser noch nicht offiziell bestätigt wurde.

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Ferner wurde auf der Präsentation eine Form der „intelligenten“ SSD angesprochen. Während bislang Daten relativ wahllos auf eine SSD geschrieben werden, soll die Technik in Koordination mit dem Host bestimmen, welche Daten wo gespeichert werden. Dies soll zu einer deutlich geringeren Schreiblatenz bei hoher IO-Aktivität führen, berichtet PC Perspective.