3D-NAND: Baubeginn der Fabrik von Toshiba und SanDisk

Im Laufe der Woche wurde mit den Arbeiten für den Bau der „Fab 2“ in Toshibas NAND-Flash-Produktionsstätte Yokkaichi Operations in der japanischen Präfektur Mie begonnen. In Kooperation mit SanDisk will Toshiba mit der neuen Anlage Kapazitäten für den Umstieg von planem Flash-Speicher auf 3D-NAND schaffen.

Während Samsung bereits seit dem Sommer 2013 3D-NAND fertigt, ziehen andere Hersteller wie IM Flash Technologies (Micron/Intel) und SK Hynix erst gegen Ende 2014 respektive im kommenden Jahr nach. Bei Toshiba und SanDisk wird es allerdings noch bis 2016 dauern, wie die Unternehmen verlauten ließen.

Da sich die Verkleinerung der Strukturbreiten für Halbleiter-Chips zunehmend schwieriger gestaltet, sucht die Branche ihr Heil in der Höhe mit dreidimensionalen Strukturen, um im Falle des NAND-Flash die Datendichte zu erhöhen. Wie Samsung bereits demonstriert, bietet der 3D-NAND auch bezüglich Leistung, Leistungsaufnahme und Haltbarkeit der Speicherzellen potentiell Vorteile.

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Die Zeit bis zu ersten eigenen 3D-NAND-Chips überbrückt das japanisch/US-amerikanische Joint-Venture mit dem 15-nm-Herstellungsverfahren, dem nach eigenen Angaben bisher fortschrittlichsten Herstellungsprozess für planaren 2D-NAND, der nach groben Berechnungen eine ähnliche Datendichte wie Samsungs erste Generationen des V-NAND bietet.

Der 15-nm-Speicher wird seit April 2014 in der Fab5 am gleichen Standort in Japan gefertigt. Jetzt erfolgte die weitere Umstellung der Anlage auf diesen Prozess. Erste SSDs mit 15-nm-NAND werden frühestens im vierten Quartal 2014 erwartet. SanDisks neue Ultra-II-SSDs basieren noch auf in 19 nm gefertigtem TLC-Flash.