ASML: EUV-Lithografie mit 10-nm-Fertigung Ende 2016
Im Rahmen der Quartalszahlen hat Fabrikausrüster ASML heute über den aktuellen Entwicklungsstand bei der EUV-Lithografie informiert. Ende 2016 ist mit der neuen Technik eine Zusammenführung mit der 10-nm-Fertigung geplant.
Laut Konzern sind aktuell sechs NXE:3300B im Einsatz, die allesamt Wafer belichten. Alle sechs Systeme sind bereits dahingehend optimiert worden, dass der Waferausstoß mehr als 500 Wafer pro Tag erreichen kann, an zwei Geräten wurde dies bereits erfolgreich getestet. Neben vielen kleinen Optimierungen rund um die Maschinen ist in erster Linie die auf 81 Watt gesteigerte Lichtquelle für den höheren Waferausstoß verantwortlich. Laut neuester Angabe soll eine wirtschaftliche Fertigung mit EUV ab 1.500 Wafer pro Tag möglich sein.
-
ASML und EUV (Bild: asml.com)
Neben der aktuellen Generation NXE:3300B, von denen ASML insgesamt sieben an Unternehmen ausliefern wird, während eines zu Forschungszwecken im eigenen Hause verbleibt, werden aktuell mindestens neun Geräte der nächsten Generation NXE:3350B angepeilt. Da viele Abnehmer gerade in der Vorbereitungsphase und dem Lernprozess mit EUV-Technik sind, sollen insgesamt neun dieser neuen Belichtungsmaschinen, drei davon als Umwandlung von dem bisherigen Modell auf den Nachfolger, im kommenden Jahr ausgeliefert werden. ASML wird dafür die eigenen Fertigungseinrichtungen erweitern und ausbauen.
Eher beiläufig erwähnt ASML, dass „ein Kunde“ die 10-nm-Produktion auch mit EUV anstrebe. Intel gilt dabei als wahrscheinlichster Kandidat, hält der Chipproduzent doch selbst 15 Prozent am niederländischen Fabrikausrüster. ASML will dazu passend die Anstrengungen in dem Bereich intensivieren, sodass ein Crossover von EUV und 10 nm kleinen Strukturen noch vor Ende 2016 machbar ist.
Intel hatte sich zuletzt wenig optimistisch gezeigt, was die EUV-Lithografie im Einsatz bei der Massenproduktion betrifft. Die 10-nm-Fertigung soll in Großserie in jedem Fall noch ohne EUV stattfinden, selbst bei 7 nm deutet Intel an, möglicherweise mit einer Lösung ohne EUV auszukommen. ASML erklärte wenig später, dass 7 nm als wahrscheinlichste Möglichkeit für die erste EUV-Massenproduktion angesehen werden könnte.
Traditionell sind Termine in diesen Forschungsbereichen mit Vorsicht zu genießen. Zuletzt verzögerten sich Neuheiten oft um viele Jahre. Im Jahre 2003 hieß es bereits, dass EUV ab 2009 in Serie im Einsatz sein soll.