DDR4: Samsung legt Grundstein für Module mit 128 GB

Knapp 14 Monate nach dem Beginn der Massenproduktion von ersten DDR4-Speicherchips mit einer Kapazität von 4 Gigabit lässt Samsung Modelle mit 8 Gigabit folgen. Die doppelte Kapazität wird zunächst in Modulen mit 32 Gigabyte eingesetzt . In Verbindung mit TSV-Technik sollen später 128-GB-Speicherriegel folgen.

Die 8-Gigabit-DDR4-Chips werden in einem Prozess der „20-nm-Klasse“ hergestellt und bilden zunächst die Basis für 32-GB-RDIMMs für Server, deren Serienfertigung ebenfalls gestartet wurde. Im Vergleich zu DDR3-Server-Modulen mit einer Datentransferrate von 1.866 Megabit pro Sekunde legen die DDR4-Module mit 2.400 Mbit/s in puncto Geschwindigkeit um fast 29 Prozent zu. Durch die niedrigere Betriebsspannung von 1,2 Volt arbeiten die neuen Module zudem effizienter.

Später sollen die 8-Gb-Chips auch übereinander gestapelt und mittels Silizium-Durchkontaktierung (Through-Silicon Via, kurz TSV) miteinander verbunden werden. Der „Stapel-Speicher“ ermöglicht laut Samsung Server-Module mit bis zu 128 Gigabyte Speicherkapazität. Wann diese in Serie gefertigt werden, ließ der Hersteller jedoch offen. Vor knapp zwei Monaten hat Samsung mit der Massenproduktion von 64-GB-Modulen auf Basis von gestapelten 4-Gigabit-Chips begonnen.

Samsung ist allerdings nicht der einzige Halbleiterhersteller, der 128-Gigabyte-Module in Aussicht stellt: Auch SK Hynix plant DDR4-Riegel mit bis zu 128 Gigabyte auf Basis von 8-Gigabit-Speicherchips, die ab dem ersten Halbjahr 2015 in Serie gefertigt werden sollen.