MRAM: TDK stellt potentiellen Nachfolger von Flash vor

Der Speicherhersteller TDK präsentiert mit einem Prototyp der „Spin-Torque“-MRAM-Module einen Speicher, der die guten Eigenschaften flüchtiger und nichtflüchtiger Speicher vereinen soll. So soll eine hohe Geschwindigkeit mit einer langfristigen Speicherung ohne permanent anliegende Spannung kombiniert werden.

Die auf der japanischen Elektronikmesse Caetec vorgestellten Module erreichen eine siebenmal höhere Lese- und Schreibgeschwindigkeit als Flash-Speicher. Eine schnelle Markteinführung ist allerdings nicht in Sicht. Zwar produziert die TDK-Tocher Headway Technologie bereits 8 Zoll große MRAM-Wafer, Headway besitzt allerdings nicht die nötigen Kapazitäten für eine Massenproduktion. TDK ist somit auf eine Partnerschaft mit einem Chip-Hersteller angewiesen. Laut Aussage von TDK wird die Technologie womöglich noch ein Jahrzehnt bis zur Serienreife benötigen. Die „Spin Torque“-Technik wird vom Konkurrenten Everspin Technologies bereits eingesetzt, zu finden sind die Module etwa in Cache-Speichern von Buffalo-SSDs.

An „Magnetoresistive Random Access Memory“ wird bereits seit den 1990er Jahren geforscht. Großes Potential bietet die „Spin Torque“-Technologie. Aufgebaut sind diese Zellen aus zwei ferromagnetischen Schichten. Ein Elektron wird in der ersten Schicht polarisiert, durchquert die Barriere durch den Tunneleffekt und kommt in der zweiten Schicht an. Sollte die zweite ferromagnetische Schicht nicht die exakt parallele Magnetisierung aufweisen, beginnt im Elektron eine Drehbewegung. Eine gewisse Anzahl an Elektronen sorgt durch diesen „Spin“ für einen Wechsel der Magnetisierung in der zweiten Schicht. Wechselt die Stromrichtung, verläuft die Drehung der Magnetisierung in entgegengesetzter Richtung. Die Technologie ermöglicht die Fertigung kleiner Strukturgrößen und ist Gegenstand aktueller Forschungen führender Speicherhersteller.