Flashspeicher: Intels 3D-NAND hat 32 Lagen und 256 Gigabit pro Die

Im Rahmen eines Investorentreffens hat Intel den ersten 3D-Flash-Speicher des Unternehmens angekündigt. Im kommenden Jahr sollen SSDs mit 3D-NAND aus der Gemeinschaftsproduktion von Intel und Micron (IMFT) erscheinen. Bei 32 Lagen werden 256 Gigabit pro Die geboten.

In der zweiten Jahreshälfte 2015 sollen die ersten SSDs auf Basis des neuen Speichers auf den Markt kommen. Zunächst sind 256 Gigabit pro Die im MLC-Modus mit zwei Bit pro Speicherzelle geplant. Doch sei auch eine TLC-Variante mit 3 Bit Pro Zelle möglich, die 384 Gigabit realisiert. Die Kapazitäten pro Die liegen somit deutlich höher als bei Samsungs V-NAND, der bei ebenfalls 32 Zellschichten 86 Gigabit im MLC-Modus und 128 Gigabit im TLC-Betrieb mit 3 Bit pro Zelle erreicht.

Laut Intels Rob Crooke soll die 3D-Technik „innerhalb der nächsten paar Jahre“ SSDs mit 10 Terabyte ermöglichen. Auf Basis der 256-Gigabit-Dies sind zunächst 2-TB-Varianten in herkömmlichen Formfaktoren denkbar. Die höhere Datendichte pro Die soll die Herstellungskosten senken. Zur Fertigungstechnik wurden keine Angaben gemacht.

Bei 3D-NAND sind im Gegensatz zu planem 2D-NAND mehrere Zellschichten übereinander angeordnet und vertikal miteinander verbunden. Die dreidimensionale Struktur ermöglicht eine höhere Datendichte bei gleicher Fläche sowie – zumindest bei Samsungs V-NAND – Vorteile bei Leistung und Leistungsaufnahme. Samsung ist Vorreiter bei 3D-NAND und produziert diesen bereits seit über einem Jahr, inzwischen in der zweiten Generation. Neben IMFT wollen auch Toshiba und SanDisk sowie SK Hynix im Laufe des kommenden Jahres 3D-Flash-Speicher anbieten.