LPDDR4 von Samsung: 8-Gbit-Chips bringen 4 GB RAM ins Smartphone

Mit dem Erfolgszug von Smartphones und Tablets hat der sogenannte „Mobile DRAM“ eine gewichtige Stellung im Portfolio der Speicherhersteller eingenommen. Samsungs neuer LPDDR4-DRAM ermöglicht 4 Gigabyte in einem einzigen Chipgehäuse (Package) und ist dabei sparsamer und schneller als LPDDR3.

Die neuen Speicherchips besitzen eine Kapazität von 8 Gigabit und eine I/O-Datenrate von 3.200 Mbit/s, was oftmals als effektiver Takt von 3.200 MHz angegeben wird. Damit liegt die Datenrate auf dem Niveau von schnellen DDR4-Modulen für PCs. Die nun begonnene Massenfertigung erfolgt in einem Prozess der „20-nm-Klasse“, also im Bereich zwischen 20 und 30 nm.

Wie die im Sommer verabschiedeten Spezifikationen für LPDDR4 beschreiben, liegt die Betriebsspannung bei 1,1 Volt, womit LPDDR3 (1,2 Volt) unterboten wird. Gegenüber einem LPDDR3-Package mit zwei Gigabyte verspricht Samsung mit dem neuen Speicher bei gleicher Kapazität eine Energieeinsparung von bis zu 40 Prozent.

Gerätehersteller werden ab diesem Monat von Samsung zunächst mit LPDDR4-Speicherbausteinen mit zwei oder drei Gigabyte Kapazität versorgt, die entweder auf 6-Gbit- oder den neuen 8-Gbit-Chips basieren. Anfang 2015 sollen dann die 4-Gigabyte-Packages für neue High-End-Geräte folgen. Die Entwicklerversion eines 6-Zoll-Smartphones mit neuem 64-Bit-SoC Snapdragon 810 und 4 GB LPDDR4-Arbeitsspeicher ist einer der ersten Abnehmer.

Bei DDR4-DRAM für PCs und Server hat Samsung bereits Ende Oktober mit der Serienfertigung von 8-Gbit-Chips begonnen, die übereinandergestapelt (Stacked DRAM) Module mit bis zu 128 GByte ermöglichen sollen. Im Gegensatz zu LPDDR4 arbeitet DDR4-DRAM mit höheren 1,2 Volt und benötigt entsprechend mehr Energie.