Grafikspeicher: Samsung fertigt 8-Gbit-GDDR5 mit 4.000 MHz in Serie

Mit der Serienfertigung erster 8-Gigabit-Chips erhöht Samsung die Datendichte beim Grafikspeicher vom Typ GDDR5. Ein Chip stellt ein Gigabyte Speicherkapazität bereit – somit lassen sich mit nur vier Chips vier Gigabyte Kapazität realisieren, wie sie aktuelle Grafikkarten bieten.

Neben der hohen Datendichte bietet der neue GDDR5-Speicher auch hohe Datenraten: Die I/O-Rate pro Pin wird von Samsung mit 8 Gigabit pro Sekunde angegeben. Das ist nochmals schneller als beispielsweise bei den Speicherchips der GeForce GTX 980 von Nvidia, die in der Standardausführung mit 7 Gbit/s arbeiten. Der maximale Takt steigt von 3.500 auf 4.000 MHz. Auch Hynix ist bereits bei GDDR5 mit 8 Gbit/s angekommen, nicht aber in dieser Datendichte. Die Fertigung des Samsung-Speichers erfolgt in einem 20-nm-Verfahren.

Nach eigenen Angaben hat der Hersteller damit „sein Angebot an 8Gb DRAM-Lösungen in seiner führenden 20nm-Prozesstechnologie vervollständigt“. Kurz vor Weihnachten hatte Samsung die Massenproduktion von LPDDR4-Speicher mit 8 Gbit begonnen, zwei Monate zuvor ging DDR4-DRAM mit gleicher Datendichte an den Start.