HiSilicon: Kirin-930-SoC hat modifizierte Cortex-A53-Kerne

HiSilicon hat neue Informationen zum Kirin-930-SoC veröffentlicht, der erstmals im Huawei MediaPad X2 zum Einsatz kommt. Das SoC wird im big.LITTLE-Design neben vier normalen Cortex-A53-Kernen mit 1,2 GHz Taktfrequenz auch vier von HiSilicon entwickelte Cortex-A53e-Kerne mit 2 GHz Takt haben.

Wie stark diese modifiziert wurden, ist nicht bekannt. Die starke Namensähnlichkeit könnte aber ein Hinweis sein, dass es vor allem darum ging, höhere Taktraten als die von ARM empfohlenen 1,2 GHz zu erreichen, um mehr Leistung herauszukitzeln. Den Verzicht auf die eigentlich für eine hohe Rechenleistung vorgesehenen Cortex-A57, die in den High-End-SoCs der Konkurrenz zum Einsatz kommen und anfangs auch im Kirin 930 vermutet wurden, begründet das Unternehmen mit der unverhältnismäßig hohen Leistungsaufnahme dieser Lösung.

So biete der Cortex A57 zwar eine 56 Prozent höhere Leistung als der A53. Die im Vergleich 256 Prozent höhere Leistungsaufnahme, die nicht zuletzt aus der größeren Chipfläche resultiert, stehe dazu aber in keinem Verhältnis und belaste den Akku zu stark. Zudem sei die aus der Leistungsaufnahme resultierende hohe Wärmeentwicklung ein Problem, wobei explizit auf das HTC One M9 verwiesen wird, in dem der Qualcomm Snapdragon 810 mit je vier Cortex-A53 und A57 steckt.

Die von HiSilicon erwähnten Hitzeprobleme konnte ComputerBase ebenfalls feststellen, die Temperatur an der Rückseite des M9 stieg auf bis zu 56 Grad Celsius an. Die hohe Temperatur wurde von HTC noch während des Testzeitraums durch ein Software-Update reduziert, indem die Taktrate früher gedrosselt wird.

An der grundsätzlichen Problematik ändert dies aber nichts, der Fehler unterstreicht sie sogar: Das One M9 wurde so heiß, weil die Taktrate des SoCs trotz steigender Temperatur nicht gedrosselt wurde. Zwar ist die Drosselung der Taktraten bei High-End-SoCs üblich, da diese in den engen Gehäusen von Tablets und Smartphone passiv nur begrenzt gekühlt werden können, doch wenn HiSilicon es schafft, die Leistungsaufnahme der Kerne deutlich zu senken, erzeugen diese auch weniger Abwärme und können folglich länger unter Volllast arbeiten, bevor der Überhitzungsschutz eingreift. An die Leistung eines Snapdragon 810 wird der Kirin 930 vermutlich nicht heranreichen, könnte seine Vorteile aber durch längere Akkulaufzeiten und niedrigere Temperaturen bei längerer Belastung ausspielen.

In den zukünftigen SoCs wird HiSilicon den bisherigen Informationen zufolge aber auch bei den vier leistungsstarken Kernen wieder auf ein ARM-Design setzen. Der neue ARM Cortex-A72 arbeitet deutlich effizienter als der A57 und soll im Kirin 940 und im Kirin 950 zum Einsatz kommen.

	Kirin 930	Kirin 940	Kirin 950
CPU	4 × A53 + 4 × A53e (bis zu 2,0 GHz)	4 × A53 + 4 × A72 (bis zu 2,2 GHz)	4 × A53 + 4 × A72 (bis zu 2,4 GHz)
RAM	Dual-Channel LPDDR3 (12,8 GB/s)	Dual-Channel LPDDR4 (25,6 GB/s)
GPU	ARM Mali T628	ARM Mali-T860	ARM Mali-T880
DSP	Tensilica HiFi 3	Tensilica HiFi 4
ISP	32 MP	Dual (32 MP)	Dual (42 MP)
Video-En-/Dekodierung	1080p	4K
Modem	Dual-SIM Cat. 6 LTE	Dual-SIM Cat.7 LTE	Dual-SIM LTE Cat.10
Sensor-Hub	i3 Co-Prozessor (Sensor-Hub)	i7 Co-Prozessor (Sensor-Hub + Connectivity + Security)
Externe Schnittstellen	eMMC 4.51 / SD 3.0 (UHS-I) Dual-Band a/b/g/n Wi-Fi BT 4.0 Low Energy USB 2.0	UFS 2.0 / eMMC 5.1 / SD 4.1 (UHS-II) MU-MIMO ac Wi-Fi BT 4.2 Smart USB 3.0 NFC
Release	Q2 2015	Q3 2015	Q4 2015