EUV-Lithografie: ASML vermeldet Großauftrag mit US-Kunden

Michael Günsch
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EUV-Lithografie: ASML vermeldet Großauftrag mit US-Kunden

Die in der Halbleiterfertigung genutzte Fotolithografie stößt an ihre Grenzen. Zur weiteren Verkleinerung der Strukturen setzt die Branche Hoffnungen in die EUV-Lithografie. ASML als größter Hersteller entsprechender Maschinen vermeldet einen Großauftrag aus den USA erhalten zu haben.

Der neue Großauftrag von ASML ist als weiterer Schritt auf dem Weg zur Serienfertigung mit EUV-Technik zu werten. Der nicht namentlich genannte Kunde soll mit ASML vereinbart haben, gleich 15 EUV-Systeme für den Einsatz in zukünftigen Herstellungsprozessen abzunehmen. Die Wahrscheinlichkeit, dass Intel als weltgrößter Halbleiterhersteller dieser US-Kunde ist, ist sehr hoch.

Bis zum Jahresende sollen zunächst zwei der Maschinen des Typs NXE:3350B ausgeliefert werden. Auf den Webseiten des niederländischen Herstellers wird dieser Typ noch nicht aufgeführt, stattdessen sind lediglich Details zum Vorgänger NXE:3300B einsehbar. Die neue Generation soll die Zahl der pro Tag belichteten Wafer auf etwa 1.500 steigern. Mit dem NXE:3300 hatte ASML gemeinsam mit TSMC in Feldversuchen etwas mehr als 1.000 Wafer pro Tag erreicht. Der taiwanische Auftragsfertiger TSMC hat nach letztem Kenntnisstand mindestens vier EUV-Systeme bestellt.

EUV-Lithografie-System NXE:3300B
EUV-Lithografie-System NXE:3300B (Bild: ASML)

Die Abkürzung EUV beschreibt den Einsatz von extrem ultravioletter Strahlung mit gegenüber bisherigen Belichtungsmethoden erheblich verringerter Wellenlänge. Die Branche verspricht sich dadurch noch kleinere Strukturen für mehr Transistoren auf gleicher Fläche und dadurch günstigere und effizientere Chips schaffen zu können.

Wie so oft ist der Umstieg auf neue Techniken nicht unproblematisch. Weil sich die Marktreife der EUV-Methodik immer wieder verzögerte, zog Intel bereits nicht nur für die kommende 10-nm-Fertigung, sondern auch den darauf folgenden 7-nm-Prozess eine Herstellung ohne EUV-Lithografie in Betracht.