Halbleiterfertigung: TSMC will Samsung bei der 10-nm-Fertigung schlagen

Wie die taiwanische DigiTimes berichtet, ist der Halbleiter-Auftragsfertiger TSMC zuversichtlich, Samsung beim Rennen um die 10-nm-FinFET-Fertigung zu schlagen und seinen Kunden früher als Samsung die nächste Prozessgeneration anbieten zu können. Als größten Konkurrenten für 10-nm-FinFET sieht das Unternehmen demnach Intel.

Die Amerikaner planen im zweiten Halbjahr 2016 mit Cannonlake die ersten im 10-nm-FinFET-Verfahren gefertigten Prozessoren auf den Markt zu bringen. Bei Samsung ist die Verfügbarkeit der neuen Prozessgeneration hingegen – ähnlich wie bei TSMC – für Ende 2016 geplant und soll dann direkt für größere Produktionsmengen zur Verfügung stehen.

Anfang des Jahres hieß es in Bezug auf die 10-nm-Fertigung von TSMC noch, dass die Massenproduktion erst für Anfang 2017 zu erwarten sei. Bei der 16-nm-Fertigung sei zwar bereits ab dem dritten und vierten Quartal dieses Jahres mit Kleinserien zu rechnen, die Massenproduktion wird aber erst im kommenden Jahr beginnen, da zu Gunsten der 20-nm-Produktion Ressourcen für die 16-nm-Produktion abgezogen wurden.

Zu den ersten Kunden für TSMCs 10-Nanometer-Fertigung wird Nvidia gehören. Der Grafikkartenhersteller gab Anfang Mai bekannt, mit der Foundry sowohl bei der 20-nm-Fertigung als auch bei 16 nm FinFET und 10 nm FinFET zusammenzuarbeiten.