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Trion 100 Serie: OCZ kündigt TLC-SSD mit Toshiba-Controller an

Parwez Farsan
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Trion 100 Serie: OCZ kündigt TLC-SSD mit Toshiba-Controller an
Bild: OCZ

OCZ kündigt für die vom 2. bis 6. Juni in Taipeh stattfindende Computex eine neue SSD-Serie mit A19-TLC-Speicherchips und Controller der Konzernmutter Toshiba an. Die Trion 100 Serie ist für das untere Preissegment vorgesehen, soll aber dennoch eine ansprechende Leistung liefern.

Die TLC-Speicherchips der SSD werden in SanDisks und Toshibas 19-nm-Verfahren der 2. Generation (A19) gefertigt und speichern 3 Bit pro Zelle. Im Hinblick auf die Kosten bedeutet dies eine große Ersparnis, da – rein auf die Speicherzellen bezogen – bei gleicher Speicherkapazität 50 Prozent weniger Chipfläche benötigt wird als bei MLC-Speicherchips, auch wenn dies etwas Leistung und Lebensdauer kostet.

Ebenfalls von Toshiba stammt der Controller der Trion 100 Serie. Abgesehen vom Codenamen Alishan ist über ihn bisher aber noch nichts konkretes bekannt. Die ersten, noch vorläufigen Leistungsangaben und die Tatsache, dass OCZ die SSDs als Upgrade-Lösung für „jedes Notebook und jeden PC“ bewirbt, lassen jedoch darauf schließen, dass der Controller ein SATA-Interface nutzt. OCZ gibt an, dass Daten sequenziell mit bis zu 550 MB/s übertragen werden und die SSD bei wahlfreien Lesezugriffen bis zu 91.000 IOPS erreicht.

Weitere Informationen zu OCZs neuer Einsteiger-Lösung wird es in den nächsten Tagen im Rahmen der Computex geben. Dort wird der Hersteller zudem erstmals die neuen Enterprise-SSDs Z-Drive 6000 und Z-Drive 6300 mit NVMe-Unterstützung zeigen.

OCZ Trion 100 Serie OCZ Z-Drive 6000 OCZ Z-Drive 6300
Controller: Toshiba Alishan (TC58NC1000) PMC Sierra
DRAM-Cache: ?
Speicherkapazität: ? 800 / 1.600 / 3.200 GB 800 / 1.600 / 3.200 GB
Speicherchips: Toshiba 19 nm Toggle DDR 2.0 TLC (A19) NAND, ? Toshiba 19 nm Toggle DDR 2.0 MLC (A19nm) NAND, 128 Gbit Toshiba 19 nm Toggle DDR 2.0 eMLC (A19nm) NAND, 128 Gbit
Formfaktor: 2,5 Zoll (7 mm) U.2 (2,5 Zoll, 15 mm)
Interface: SATA 6 Gb/s PCIe 3.0 x4
seq. Lesen: 550 MB/s
2.200 MB/s
Variante
2.900 MB/s
2.200 MB/s
Variante
2.900 MB/s
seq. Schreiben: ?
1.300 MB/s
Variante
1.900 MB/s
1.000 MB/s
Variante
1.400 MB/s
4K Random Read: 91.000 IOPS
600.000 IOPS
Variante
700.000 IOPS
600.000 IOPS
Variante
700.000 IOPS
4K Random Write: ?
115.000 IOPS
Variante
160.000 IOPS
75.000 IOPS
Variante
120.000 IOPS
Leistungsaufnahme Aktivität (typ.): ? 25,0 W
Leistungsaufnahme Aktivität (max.): ? k. A.
Leistungsaufnahme Leerlauf: ? 9.000 mW
Leistungsaufnahme DevSleep: ? kein DevSleep
Leistungsaufnahme L1.2: ? kein L1.2
Funktionen: AHCI, NCQ, TRIM, SMART, Garbage Collection NVMe, NCQ, TRIM, SMART, Garbage Collection, Power-Loss Protection
Verschlüsselung: AES 256
Total Bytes Written (TBW): ?
1.460 Terabyte
Variante
2.920 Terabyte
Variante
5.840 Terabyte
4.380 Terabyte
Variante
8.760 Terabyte
Variante
17.520 Terabyte
Garantie: ? 5 Jahre
Preis:
Preis je GB: ?
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