SanDisk iNAND 7232: 128 GByte mit „SmartSLC“ für Smartphone und Tablet

SanDisk hat eine neue eMMC-Speicherlösung für Smartphones und Tablets mit bis zu 128 GByte Speicherplatz vorgestellt. Zum Einsatz kommt in 15 Nanometer Strukturbreite gefertigtes TLC-NAND (X3) aus eigener Produktion, das SanDisk zur Steigerung der Leistung mit der „SmartSLC“-Technik der zweiten Generation kombiniert.

Diese nutzt einen Teil des TLC-Speichers mit drei Bit pro Zelle als Cache, der wie herkömmliches SLC-NAND mit nur einem Bit pro Zelle beschrieben wird und dadurch eine höhere Schreibleistung erzielt. Mit diesem „Turbo“ soll das SanDisk iNAND 7232 auch in Flaggschiff-Modellen zum Einsatz kommen, um kostengünstig viel Speicherplatz realisieren zu können, ohne die Leistung zu sehr zu vernachlässigen.

Das lediglich 11,5 × 13 × 0,9 Millimeter große Embedded Flash Drive (EFD) nach e.MMC 5.1-HS400-Spezifikation erreicht nach Firmenangaben sequenzielle Leseraten von bis zu 280 MByte/s und sequenzielle Schreibraten von bis zu 150 MB/s. Durch die in eMMC 5.1 enthaltene Unterstützung von Command Queueing verspricht das iNAND 7232 außerdem eine gesteigerte Leistung bei wahlfreien Zugriffen, Zahlen nennt SanDisk allerdings keine.

Aktuell stehen zunächst Muster des mit 32, 64 oder 128 GByte Speicherkapazität gefertigten Speicherbausteins für Kunden bereit. Bis die ersten Produkte auf Basis des iNAND 7232 in den Handel kommen, dürfte es daher noch ein paar Monate dauern.

Von Samsung gibt es ebenfalls bis zu 128 GByte große eMMC-Bausteine auf TLC-Basis, allerdings nur nach eMMC-5.0-Spezifikation. eMMC 5.1 bieten die Südkoreaner aktuell mit maximal 64 GB an, haben daneben aber auch noch eine leistungsstarke UFS-2.0-Lösung mit bis zu 128 GByte im Angebot, die unter anderem im Galaxy S6 und S6 edge verwendet wird.