Samsung: Mit 144 Chips zu DDR4-Riegeln mit 128 GByte

Dank der TSV-Technik (through silicon via) hat Samsung mit 144 8-Gbit-Speicherchips, die je 4-fach gestapelt zu 36 einzelnen 4-GByte-Chips gepackt wurden, DDR4-Speichermodule mit einer Kapazität von 128 GByte vorgestellt.

Die nun angekündigte Massenproduktion der neuen Module – die erste Vorstellung der Technik gab es bereits vor einem Jahr – soll in den kommenden Monaten von weiteren Ausbaustufen begleitet werden. Dazu gehören neben Load-Reduced-Speicherriegel (LR-DIMM) auch Speicherriegel mit Transferraten von bis zu 2.666 und 3.200 Mbit/s (DDR4-3200). Die aktuellen RDIMMs bieten an dieser Stelle 2.400 Mbit/s (DDR4-2400), Samsung verspricht durch die aktuelle Fertigung der 20-nm-Klasse – die beim Hersteller alle Fertigungsschritte zwischen 20 und 29 nm umfasst – und neue Technik eine bis zu 50 Prozent geringere Energieaufnahme im Vergleich zu bisherigen 64-GByte-LRDIMMs. Zur Preisgestaltung gibt es zum Start der Serienfertigung keine Angaben.