Samsung UFS 2.0 mit 256 GB: Smartphone-Speicher liest schneller als SATA-SSDs

Ein Jahr nach dem Start der Massenproduktion von UFS-Speicherchips mit 128 GByte lässt Samsung eine Variante mit 256 GByte folgen. Die Chips für High-End-Smartphones arbeiten nach dem Standard UFS 2.0 und bieten hohe Transferraten von bis zu 850 MB/s lesend und 260 MB/s schreibend.

Beim sequenziellen Lesen werden damit selbst SSDs mit SATA-Schnittstelle übertroffen. Gegenüber der bisherigen UFS-Generation sei auch die Leistung bei zufälligen Zugriffen erheblich gesteigert worden. Statt 19.000 und 14.000 IOPS würden nun bis zu 45.000 und 40.000 IOPS und damit mehr als doppelt so viele Operationen pro Sekunde beim wahlfreien Lesen und Schreiben erreicht.

Samsungs V-NAND und zwei Datenleitungen

Die Steigerung bei Datendichte und Geschwindigkeit wird durch Samsungs V-NAND ermöglicht. In der Pressemeldung heißt es: „Es basiert auf den fortschrittlichsten V-NAND Flash-Memory-Chips des Unternehmens und einem speziell entwickelten leistungsstarken Controller“. Das weist auf Samsungs jüngste 3D-NAND-Generation mit 256 Gigabit pro Die bei 48 Zellebenen und drei Bit pro Speicherzelle (TLC) hin. Für die hohe Datenrate beim Lesen werden zwei Leitungen (Lanes) genutzt.

Maximale Transferrate über USB 3.0 nicht möglich

Der Speicherchip mit 256 GByte soll vor allem in High-End-Smartphones der kommenden Generation eingesetzt werden, die mittels USB 3.0 eine schnelle Verbindung zu externen Geräten besitzen. 850 MB/s sind über USB 3.0 allerdings nicht möglich – in der Praxis werden über die Schnittstelle maximal nur etwa 450 MB/s erreicht. Dazu passt auch die Angabe von Samsung, dass sich ein 5 GByte großes Video in 12 Sekunden übertragen lassen soll: Das entspricht einer Transferrate von umgerechnet rund 417 MB/s.

Zur Größe des 256-GB-Chips macht Samsung keine Angaben und spricht lediglich davon, dass er „kleiner als eine externe microSD-Karte“ sei, die 11 × 15 × 0,7 mm (L × B × H) misst. Gemeint ist vermutlich die Fläche des Chips, denn bereits die 128-GB-UFS-Chips sind mit 1,2 Millimetern in der Höhe deutlich dicker. Zumindest die Grundfläche von 11,5 × 13 (L × B) Millimetern sollte auch für das 256-GB-Modell gelten.

Universal Flash Storage als schnellere Alternative zu eMMC

Der JEDEC-Speicherstandard Universal Flash Storage (UFS) gilt als potentieller Nachfolger der eMMC-Technik mit deutlich höherer Geschwindigkeit. Die Spezifikation UFS 2.0 sieht Geschwindigkeiten von bis zu 600 MB/s pro Leitung vor. Bei zwei Datenleitungen sind somit 1.200 MB/s möglich. Als Einsatzgebiete der UFS-Chips gelten nicht nur Smartphones, sondern auch Digitalkameras und andere Geräte.

Zu den ersten Smartphones mit UFS-2.0-Speicher zählt das Samsung Galaxy S6 (edge), das bis zu 128 GByte davon bietet. Auch im jüngst vorgestellten Xiaomi Mi5 (Pro) stecken UFS-2.0-Chips.