Galaxy S7 im Test: Samsung macht sie alle nass
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Schneller Exynos 8890
Schnell, schneller, Exynos 8890. Samsung erstes System on a Chip mit eigenen CPU-Kernen kommt erstmals im Galaxy S7 zum Einsatz. Nur in den USA und Teilen von Asien wird Qualcomms neuer Snapdragon 820 verbaut. Klar besser in puncto Leistung ist keines der SoCs, das haben bereits Benchmarks im Rahmen des MWC 2016 gezeigt.
Bis zu 2,6 GHz auf zwei Kernen
Auf der Messe hatte ComputerBase auch festgestellt, dass zwei der Exynos-M1-Kerne höher takten können, als von Samsung angegeben. Bis zu 2,6, statt 2,3 GHz sind möglich, wenn nur zwei Kerne belastet werden. Werden hingegen alle vier M1-Kerne belastet, liegt der Maximaltakt bei den von Samsung spezifizierten 2,3 GHz. Der big.LITTLE-Aufbau des Exynos 8890 hat darüber hinaus vier Cortex-A53 für weniger fordernde Aufgaben zu bieten, wahlweise kommen alle acht Kerne gleichzeitig zum Einsatz. Der Takt der Cortex-A53 beträgt maximal 1,59 GHz auf allen Kernen.
Um das Taktverhalten des Exynos 8890 genauer zu erklären, hilft die Trepn-App von Qualcomm, die den Takt während der Benutzung des Smartphones aufzeichnet. Bei dem Test steht nicht das Taktverhalten für eine spezielle App im Fokus, sondern nur, wie sich die Kerne generell während der Nutzung verhalten. Dafür wurden die Apps Chrome, GFXBench, Facebook, YouTube, 3DMark und Google Play Music ausgeführt.
Aus dem Diagramm wird ersichtlich, dass die vier Cortex-A53 zwischen 442 MHz und 1,586 GHz takten. Zwei der Exynos M1 takten zwischen 728 MHz und 2,6 GHz, die anderen zwei Exynos M1 zwischen 0 MHz und 2,288 GHz. Das bedeutet, dass sich zwei der Exynos M1 während der Nutzung des Smartphones abschalten können, sodass der Exynos 8890 nur noch als Hexa-Core-SoC agiert und die anderen zwei Exynos M1 zwischen energiesparenden 728 MHz und maximal 2,6 GHz wechseln, sich aber während der Nutzung des Smartphones nie vollständig abschalten.
Mali-T880 MP12 mit 50 Prozent mehr Shader-Clusters
In dem 14-nm-SoC aus Samsungs zweiter Generation der FinFET-Herstellung (LPP) arbeitet als GPU eine Mali-T880 MP12 aus dem Hause ARM. Die Anzahl der Shader-Cluster ist damit um 50 Prozent gegenüber der Mali-T760 MP8 aus dem Exynos 7420 des Galaxy S6 gestiegen. Das Galaxy S7 ist durch das GPU-Upgrade zudem eines der ersten Smartphones mit Vulkan-API-Unterstützung. Samsung tauscht allerdings mehr Shader-Cluster gegen einen niedrigeren Maximaltakt der GPU. Bis zu 650 MHz sind mit der Mali-T880 MP12 möglich, nicht mehr die 772 MHz der Mali-T760 MP8.
Benchmarks bescheinigen sehr hohe Leistung
In den Benchmarks schneidet der Exynos 8890 erwartungsgemäß sehr gut ab, dies hatte sich bereits im Rahmen des MWC angedeutet. Der OpenGL ES 2.0 nutzende GFXBench T-Rex läuft auf dem Galaxy S7 48 Prozent schneller als auf dem Galaxy S6. Das iPhone 6s und dessen A9-Chip schlägt Samsung um 8 Prozent. In OpenGL ES 3.0 im GFXBench Manhattan liegt das Galaxy S7 54 Prozent vor dem Galaxy S6, aber nur noch 2 Prozent vor dem iPhone 6s. Bei den neu eingeführten Benchmarks für OpenGL ES 3.1 gibt es noch keine Vergleichswerte, das iPhone 6s unterstützt diese Tests nicht.
Im 3DMark setzen sich die guten Ergebnisse fort. Im Test Ice Storm Unlimited auf Basis von OpenGL ES 2.0 agiert das Galaxy S7 gut ein Drittel schneller als das Galaxy S6, zum iPhone 6s sind es allerdings nur noch 4 Prozent Vorsprung.
Bei der Single-Core-CPU-Leistung hat Samsung durch den Exynos M1 einen großen Sprung nach vorne gemacht. Im Geekbench-Test gibt es eine Steigerung um 44 Prozent. Zu den Twister-Cores des Apple A9 fehlen zwar noch 21 Prozent, gegenüber den Cortex-A72 aus dem HiSilicon Kirin 950 schneidet Samsung aber klar besser ab.
Auch bei den Browser-Messungen ist die Kombination aus Apple A9 und optimiertem Safari-Browser noch immer das Maß der Dinge und derzeit von keinem Android-Smartphone zu schlagen, die Zuwächse bei Samsung sind aber auch hier wieder ein großer Schritt nach vorne gegenüber dem Galaxy S6. In Googles Octane-Benchmark sind es 42 Prozent Vorsprung, im SunSpider 1.0.2 immerhin noch ein Plus von 9 Prozent und im Browsermark 21 Prozent.
Wieder sehr schneller UFS-2.0-Speicher
Dank des sehr schnellen UFS-2.0-Speichers des Galaxy S7 sind die Ergebnisse im Androbench wieder sehr gut. Gegenüber dem Galaxy S6 ist die sequenzielle Leserate stark gestiegen, der Vorsprung zum später auf den Markt gebrachten Galaxy S6 edge+ ist hingegen kleiner. Auch beim sequenziellen Schreiben liegt das Galaxy S7 auf Platz 1. Beim wahlfreien Lesen sind die Samsung-Geräte gleichauf, erst beim wahlfreien Schreiben fällt das Galaxy S7 um 25 Prozent zurück und auf den dritten Platz.
Stresstest mit GFXBench Manhattan OpenGL ES 3.0
Von Interesse ist aber auch, wie sich die Leistung des SoC unter starker Belastung entwickelt. Hierfür wurden mehrere Durchgänge mit dem anspruchsvollen Manhattan-Benchmark (OpenGL ES 3.0) des GFXBench durchgeführt und die Entwicklung der Bilder pro Sekunde protokolliert. Der Benchmark läuft in einer Schleife aus einer Minute Belastung sowie zehn Sekunden Ladezeit und wurde gewählt, weil anspruchsvolle Benchmarks ein Extremszenario simulieren, in dem jedes Smartphone im Laufe der Zeit an Leistung verliert. Als Vergleichsgerät dient ein iPhone 6s Plus.
Was bleibt von der Leistung unter Dauerbelastung?
Beim Verlauf der FPS zeigt sich, dass das Galaxy S7 bis zum zwölften Durchgang kaum an Leistung verliert, maximal sind es 7,5 Prozent. Das iPhone 6s Plus knickt bereits beim siebten Durchgang um 15,4 Prozent ein. Bei Samsung gibt es im zwölften Durchgang einen Einbruch um 20 Prozent, bevor sich das Galaxy S7 bis zum 17. Durchgang wieder fängt. Das iPhone 6s Plus verliert ab dem achten Durchgang 17,9 Prozent an Leistung und hält diesen Wert bis zum Schluss. Das Galaxy S7 schwankt hingegen stärker, der 17. Durchgang führt zum größten Leistungsverlust von 52,5 Prozent. Anschließend schwankt das Gerät zwischen 24 und 27 FPS, was für einen Leistungsverlust zwischen 32,5 und 40 Prozent gegenüber dem ersten Durchgang steht.
| Galaxy S7 | iPhone 6s Plus | |||
|---|---|---|---|---|
| Durchgang | FPS | Delta erster Durchgang | FPS | Delta erster Durchgang |
| 1 | 40 | – 0,0 % | 39 | – 0,0 % |
| 2 | 40 | – 0,0 % | 39 | – 0,0 % |
| 3 | 40 | – 0,0 % | 39 | – 0,0 % |
| 4 | 40 | – 0,0 % | 39 | – 0,0 % |
| 5 | 39 | – 2,5 % | 38 | – 2,6 % |
| 6 | 39 | – 2,5 % | 36 | – 7,7 % |
| 7 | 38 | – 5,0 % | 33 | – 15,4 % |
| 8 | 38 | – 5,0 % | 32 | – 17,9 % |
| 9 | 38 | – 5,0 % | 32 | – 17,9 % |
| 10 | 37 | – 7,5 % | 32 | – 17,9 % |
| 11 | 37 | – 7,5 % | 32 | – 17,9 % |
| 12 | 32 | – 20,0 % | 32 | – 17,9 % |
| 13 | 37 | – 7,5 % | 32 | – 17,9 % |
| 14 | 36 | – 10,0 % | 32 | – 17,9 % |
| 15 | 34 | – 15,0 % | 32 | – 17,9 % |
| 16 | 36 | – 10,0 % | 32 | – 17,9 % |
| 17 | 19 | – 52,5 % | 32 | – 17,9 % |
| 18 | 26 | – 35,0 % | 32 | – 17,9 % |
| 19 | 24 | – 40,0 % | 32 | – 17,9 % |
| 20 | 27 | – 32,5 % | 32 | – 17,9 % |
Unterm Strich kann das Galaxy S7 bei Dauerbelastung zunächst länger die Leistung auf hohem Niveau halten als das iPhone 6s Plus, im späteren Verlauf bricht es aber umso stärker ein. Zum Ende des Tests fehlt rund ein Drittel der Ausgangsleistung. Die maximale Gehäusetemperatur des Galaxy S7 liegt in diesem Test bei 45 Grad Celsius. Weil in dem Smartphone eine Heatpipe im linken Teil des Gehäuses verläuft (von vorne betrachtet), gibt es keinen eindeutigen Hotspot. Auffällig ist aber, dass sich der Metallrahmen spürbar wärmer anfühlt als die Glasrückseite.