Samsung 850 Evo V2 im Test: 48-Layer-V-NAND macht die Empfehlung noch eindeutiger

Generationswechsel beim Flash

Bereits seit August 2015 fertigt Samsung die dritte Generation von NAND-Flash mit übereinander gestapelten Zellebenen, den sogenannten 3D-NAND oder V-NAND (Vertical NAND), in Serie.

Zunächst nur in der externen Portable SSD T3 eingesetzt, wird der neue V-NAND mit 48 statt 32 Lagen und 256 statt 128 Gigabit auch in der internen Samsung 850 Evo eingeführt. Die Umstellung erfolge „sukzessive“ für alle Modelle der Serie inklusive der mSATA- und M.2-Varianten. Den Anfang machen jedoch die herkömmlichen 2,5-Zoll-Modelle mit 250, 500 und 1.000 GByte.

ComputerBase hat die neue Generation der Samsung 850 Evo in Form der Modelle mit 250 und 500 GByte den jeweiligen Vorgängern gegenüber gestellt und Leistung sowie Leistungsaufnahme verglichen. Ursprünglich sollte auch das 1-TB-Modell getestet werden, doch entpuppte sich dessen Muster als falsch gelieferte erste Generation.

Technik im Überblick

Der MGX-Controller mit vier Speicherkanälen bildet nun auch die Basis für das 1-TB-Modell, das zuvor mit dem MEX-Controller bestückt war. Vermutlich wird auch die 2-TB-Version der 850 Evo künftig mit dem MGX- statt dem MHX-Controller versehen, denn bei der Portable SSD T3 mit 2 TByte hatte Samsung bereits auf diesen Chip zurückgegriffen. Die einst von Samsung für den MGX-Controller genannte Limitierung auf 512 GByte gilt spätestens seit Einführung des neuen V-NAND nicht mehr.

Eine weitere Änderung betrifft den DRAM-Cache, der in der Neuauflage dem Typ LPDDR3 angehört, die Cache-Größen bleiben, soweit bekannt, unverändert. Auch beim SLC-Cache, den Samsung unter TurboWrite vermarktet, gibt es keine Änderungen, womit es beim 250-GB-Modell weiterhin 3 GByte und beim 500-GB-Modell weiterhin 6 GByte sind. Die offiziellen Spezifikationen mit Angaben zu Leistung und Haltbarkeit bleiben wie der Funktionsumfang inklusive DevSleep und diversen Verschlüsselungstandards unverändert.

	Samsung 850 Evo V2		Samsung 850 Evo V1
Speicherplatz	250 GB	500 GB	250 GB	500 GB
Controller	Samsung MGX (S4LN062X01-Y030) 2 Cortex-R4-Kerne 4 Kanäle
Cache	512 MB (LPDDR3 Samsung)		512 MB (LPDDR2 Samsung)
NAND-Packages	1 × K90MGY8S7M	2 × K90MGY8S7M	2 × K90KGY8S7C	4 × K90KGY8S7C
NAND-Dies/Package	8 × 256 Gbit (Samsung TLC 3D V-NAND mit 48 Ebenen)		8 × 128 Gbit (Samsung TLC 3D V-NAND mit 32 Ebenen)
Schnittstelle	SATA 3 (6 Gb/s)

Die Stockwerke im Speicher machen den Unterschied

Der wesentliche Unterschied, der zudem künftig die ganze Serie betrifft, beruht im eingesetzten 3D-TLC-Speicher. Während es für die 850-Evo-Serie die zweite Generation ist, handelt es sich bei dem neuen TLC-V-NAND mit 48 Lagen und doppelter Kapazität bereits um die dritte Generation, auf die in einem nachfolgenden Abschnitt näher eingegangen wird.

Die grundlegende Technik nennt sich weiterhin Charge Trap Flash (CTF), wie sie auch SanDisk/Toshiba und SK Hynix verwenden. Nur IMFT (Intel/Micron) geht einen eigenen Weg und setzt auf eine Variante der seit Jahrzehnten verwendeten Floating-Gate-Technik. Was sich hinter der CTF-Technik des V-NAND verbirgt, wurde im Test der Samsung 850 Pro näher beschrieben.

Der Blick ins Innere des 2,5-Zoll-Gehäuses offenbart die Leiterplatte, die nun auch beim 500-GB-Modell so winzig wie bei der 250-GB-Version ausfällt. Die Zahl der Speicherbausteine (Packages) hat sich halbiert. Das 500-GB-Modell trägt deren zwei, das 250-GB-Modell nur noch ein Package. In jedem Chip stecken demnach acht der neuen 256-Gbit-Dies, woraus sich pro Speicherbaustein 256 GByte ergeben.

Unterscheidungsmerkmale

Samsung hat sich dazu entschieden, die 850-Evo-Familie ohne eine Namensänderung mit dem neuen Speicher umzurüsten. Die niedrigere Leistungsaufnahme als „kleiner Nebeneffekt“ rechtfertigt aus Sicht von Samsung keine komplett neue Serie.

Was ist neu, was ist alt?

Für Käufer sind die Möglichkeiten zur Unterscheidung zwischen alter und neuer Version daher allerdings beschränkt. Allein die Tatsache, dass für den Test vom Hersteller ein falsches Muster der alten Generation zugesendet wurde, spricht Bände. Wer dem Händler vor Ort einen Besuch abstattet, hat dabei noch die besten Chancen, denn laut Hersteller sind die neuen Versionen anhand der geänderten Verpackung zu erkennen: Statt des orangenen Schriftzugs „Powered by 3D V-NAND Technology“ ziert nun ein „V-NAND“-Schriftzug mit blauem „V“ die Schachtel.

Im Online-Handel ist die Unterscheidung schwieriger, der Einsatz neuer Artikelnummern für die Neuauflage ist den Händlern überlassen, erklärte Samsung. Doch von dieser Methode wird augenscheinlich kein Gebrauch gemacht.

Der Lieferumfang bleibt mit SSD, Installationsanleitung und Garantiehinweisen in Papierform sowie Software auf CD der gleiche.