3D-NAND V4: Auch SK Hynix geht beim 3D-Flash in die 4. Generation

SK Hynix hat die inzwischen vierte Generation des eigenen 3D-NAND angekündigt. 3D V4 speichert 3 Bit pro Zelle (TLC) und bietet 256 Gigabit pro Die. Bei verringerter Fläche soll der neue 3D-NAND mehr Leistung und Effizienz als die dritte Generation bieten. Im vierten Quartal 2016 sollen Muster bereitstehen.

In puncto Speicherkapazität pro Die sind 256 Gigabit nicht mehr besonders viel. Samsungs kommende vierte Generation des V-NAND bringt es bereits auf 512 Gigabit, Intel und Micron haben 384 Gigabit bereits als Massenware im Programm. Toshiba fertigt in Kooperation mit Western Digital ebenfalls bereits 3D-NAND mit 256 Gigabit und hält die dritte Generation (BiCS3) mit gleicher Kapazität in den Startlöchern.

Im Rahmen des Flash Memory Summit verriet SK Hynix, dass durch die höhere Speicherdichte des 3D-NAND V4 gegenüber der vorherigen Generation 30 Prozent mehr Dies auf einen Wafer passen. Dies sorgt für niedrigere Wafer-Kosten pro Chip. Bei der Geschwindigkeit soll die neue Generation lesend wie schreibend rund 40 Prozent zulegen und zugleich 15 Prozent effizienter mit Energie umgehen.