3D-NAND: Samsungs neue NAND-Flash-Fabrik geht eher an den Start

Eine große Nachfrage gepaart mit hohen Preisen – Flash-Speicher ist gefragter denn je. Samsung will die Fertigstellung der neuen Fabrik deshalb ein Quartal früher abschließen, um so noch zum Jahresende mit der Ausrüstung beginnen zu können. Spätestens im zweiten Quartal 2017 soll bereits die Serienproduktion beginnen.

Der erste Teil des neuen, riesigen Fabrik-Komplexes von Samsungs Milliardeninvestition in Pyeongtaek soll bereits voll auf die Fertigung von Samsungs vierter Generation an 3D-NAND-Chips ausgelegt sein. Die 64-Layer-Varianten sollen zum Ende dieses Jahres erstmals in den Fabriken in Hwaseong vom Band laufen und darauf folgend in Produkten zum Einsatz kommen. Der Durchbruch dieser neuen Technologie wird aber erst im neuen Jahr erfolgen. Dies hatte der Hersteller gegenüber ComputerBase bereits vor drei Wochen in Seoul auf dem Global SSD Summit 2016 bestätigt.

Wie The Korea Herald und etnews berichten, sollen bereits ab dem zweiten Quartal, statt wie ursprünglich geplant erst ab dem zweiten Halbjahr, monatlich 40.000 bis 50.000 300-mm-Wafer aus den neuen Fertigungsanlagen kommen. Nach der kompletten Fertigstellung des Komplexes soll die Ausstoßrate der Linie 18, wie die Anlage genannt werden soll, 200.000 Wafer im Monat erreichen. Damit würde Samsung im Rennen der Halbleiterhersteller einen großen Sprung machen, nur noch TSMC und Intel bieten mit ihren multiplen Fertigungsanlagen ähnlich hohe Kapazitäten. Je nach Zählweise könnte Samsung nach der Fertigstellung der Anlagen sogar der größte Halbleiterhersteller der Welt sein.

Samsung überraschte im letzten Jahr mit der Ankündigung, mit der rekordverdächtigen Investitionssumme von knapp 13 Milliarden Euro einen komplett neuen Fabrik-Standort südlich der Hauptstadt Seoul zu eröffnen, der gleich zu dem wahrscheinlich größten der Welt aufsteigen wird. Insgesamt sollen im direkten und indirekten Umfeld der Fabrik Arbeitsplätze für bis zu 150.000 Menschen geschaffen werden.