Samsung SSD 960 Evo im Test: Höchstleistung mit NVMe über M.2 wird massentauglich
2/7Schreibraten & Turbo
TLC-NAND (3 Bit) lässt sich nicht so schnell beschreiben wie MLC-NAND (2 Bit). Aus diesem Grund setzt auch Samsung bei TLC-basierten SSDs auf einen zusätzlichen Schreibpuffer, einen Pseudo-SLC-Cache, den der Hersteller TurboWrite nennt. Ein Teil des nicht benötigten TLC-Speichers wird dabei im schnelleren SLC-Modus mit nur einem Bit pro Zelle betrieben. Erst anschließend werden die Daten im Leerlaufbetrieb auf herkömmliche Weise gesichert. Für den Anwender werden Schreibvorgänge spürbar beschleunigt.
TurboWrite Reloaded
Mit der 960 Evo führt Samsung eine neue Form des Zwischenspeichers ein. Der Name lautet nun „Intelligent TurboWrite“. Dabei nutzt Samsung wie schon bei der 850 Evo einen festen Teil des Reservespeichers in der Spare Area im SLC-Modus. Sofern auf der SSD genügend freier Speicherplatz vorhanden ist, wird bei Bedarf neuerdings auch der Nutzspeicher als SLC-Puffer genutzt. Dynamisch können somit je nach Modell 9 bis 36 GByte zusätzlicher SLC-Cache geboten werden, wenn der anstehende Datentransfer dies erfordert.
Mit dem festen Cache zusammengerechnet, bietet die 960 Evo nun maximal 13 bis 42 GByte SLC-Cache. Das gestestete 500-GB-Modell besitzt 4 GByte festen SLC-Cache, der immer zur Verfügung steht, sowie 18 GByte dynamischen Cache, der je nach Speicherplatz zur Verfügung steht – zusammengerechnet also bis zu 22 GByte Schreibpuffer.
250 GB | 500 GB | 1.000 GB | |
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statisch (immer) | 4 GB | 6 GB | |
dynamisch (wenn Speicherplatz frei) | 9 GB | 18 GB | 36 GB |
Gesamt | 13 GB | 22 GB | 42 GB |
Schreibraten mit und ohne Turbo
Samsungs TLC-3D-NAND ist für TLC-NAND-Flash zwar verhältnismäßig schnell beim Schreiben, doch erheblich langsamer als der MLC-3D-NAND der 960 Pro. Erst wenn der Controller sehr viele TLC-Speicherchips parallel ansprechen kann, werden auch ohne Turbo hohe Schreibraten erzielt. Die 960 Evo mit 1 TB bringt es dann immerhin auf 1.200 MB/s (1.900 MB/s mit Turbo). Die kleine 250-GB-Variante bietet aber nur 300 MB/s statt 1.500 MB/s mit Turbo. Das getestete 500-GB-Modell erreicht im Cache bis zu 1.800 MB/s und nach dem Cache 600 MB/s. Die 960 Pro benötigt diesen Turbo-Cache nicht und schafft durchweg über 2.000 MB/s beim Schreiben, sofern die Kühlung ausreicht.
250 GB | 500 GB | 1.000 GB | |
---|---|---|---|
TurboWrite | 1.500 MB/s | 1.800 MB/s | 1.900 MB/s |
nach dem Cache | 300 MB/s | 600 MB/s | 1.200 MB/s |
Aufkleber mit Kupferkern
Wie schon bei der 960 Pro setzt Samsung auf eine ungewöhnliche, wenngleich simple Maßnahme zur Kühlung der 960 Evo. Auf der nicht mit Chips bestückten Modulrückseite ist ein weiterer Aufkleber angebracht, der es in sich hat: Ein dünner Kupferfilm im Aufkleber dient als Wärmeleiter.
In Verbindung mit dem effizienteren Polaris-Controller konnte Samsung so den Zeitpunkt bis zur temperaturbedingten Leistungsdrosselung (Dynamic Thermal Guard) verlängern beziehungsweise die bis zur Drosselung mögliche Datentransfermenge steigern. Dass sich die Maßnahme als effektiv erweist, bestätigten die Messungen mit der 960 Pro.
950 Pro | 960 Evo | 960 Pro | ||
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Transfergröße bis Drosselung | Seq. Lesen | 158 GByte | 253 GB | 333 GByte |
Zeit bis Drosselung | Seq. Lesen | 63 Sek. | 79 Sek. | 95 Sek. |
Herstellerangaben |
Technische Eckdaten
Samsung SSD 960 Evo |
Samsung SSD 960 Pro |
Samsung SSD 850 Evo |
|
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Controller: | Samsung Polaris, 8 NAND-Channel | Samsung MGX, 4 NAND-Channel Variante Samsung MEX, 8 NAND-Channel Variante Samsung MHX, 8 NAND-Channel |
|
DRAM-Cache: | 512 MB LPDDR3-1866 Variante 1.024 MB LPDDR3-1866 |
512 MB LPDDR3-1866 Variante 1.024 MB LPDDR3-1866 Variante 2.048 MB LPDDR3-1866 |
256 MB LPDDR2 Variante 512 MB LPDDR2 Variante 1.024 MB LPDDR2 Variante 2.048 MB LPDDR3 Variante 4.096 MB LPDDR3 Variante 512 MB LPDDR3 Variante 1.024 MB LPDDR3 |
Speicherkapazität: | 250 / 500 / 1.000 GB | 512 / 1.024 / 2.048 GB | 120 / 250 / 500 / 1.000 / 2.000 / 4.000 GB |
Speicherchips: | Samsung ? Toggle DDR 2.0 TLC (3D, 48 Lagen) NAND, 128 / 256 Gbit | Samsung ? Toggle DDR 2.0 MLC (3D, 48 Lagen) NAND, 256 Gbit | Samsung 40 nm Toggle DDR 2.0 TLC (3D, 32 Lagen) NAND, 128 Gbit Variante Samsung Toggle DDR 2.0 TLC (3D, 48 Lagen) NAND, 256 Gbit |
Formfaktor: | M.2 (80 mm) | 2,5 Zoll (7 mm) | |
Interface: | PCIe 3.0 x4 | SATA 6 Gb/s | |
seq. Lesen: | 3.200 MB/s | 3.500 MB/s | 540 MB/s |
seq. Schreiben: | 1.500 MB/s Variante 1.800 MB/s Variante 1.900 MB/s |
2.100 MB/s | 520 MB/s |
4K Random Read: | 330.000 IOPS Variante 380.000 IOPS |
330.000 IOPS Variante 440.000 IOPS |
94.000 IOPS Variante 97.000 IOPS Variante 98.000 IOPS |
4K Random Write: | 300.000 IOPS Variante 330.000 IOPS Variante 360.000 IOPS |
330.000 IOPS Variante 360.000 IOPS |
88.000 IOPS Variante 90.000 IOPS |
Leistungsaufnahme Aktivität (typ.): | 5,3 W Variante 5,4 W Variante 5,7 W |
5,1 W Variante 5,3 W Variante 5,8 W |
k. A. |
Leistungsaufnahme Aktivität (max.): | ? | 4,4 W Variante 4,7 W Variante 3,6 W |
|
Leistungsaufnahme Leerlauf: | 1.200 mW | 50 mW Variante 60 mW Variante 70 mW |
|
Leistungsaufnahme DevSleep: | kein DevSleep | 2,0 mW Variante 4,0 mW Variante 5,0 mW Variante 10,0 mW |
|
Leistungsaufnahme L1.2: | 5 mW | 5 mW Variante 8 mW |
kein L1.2 |
Funktionen: | NVMe, NCQ, TRIM, SMART, Garbage Collection | AHCI, NCQ, TRIM, SMART, Garbage Collection, DevSleep | |
Verschlüsselung: | AES 256 | AES 256, IEEE-1667, TCG Opal 2.0, Windows eDrive | |
Total Bytes Written (TBW): | 100 Terabyte Variante 200 Terabyte Variante 400 Terabyte |
400 Terabyte Variante 800 Terabyte Variante 1.200 Terabyte |
75 Terabyte Variante 150 Terabyte Variante 300 Terabyte |
Garantie: | 3 Jahre | 5 Jahre | |
Preis: | 129 € / 249 € / 479 € | 329 € / 619 € / 1.299 € | 91,46 € / 137,20 € / 246,96 € / ab 303 € / 870 € / 1.599 € / – |
Preis je GB: | € 0,52 / € 0,50 / € 0,48 | € 0,64 / € 0,60 / € 0,63 | € 0,76 / € 0,55 / € 0,49 / € 0,30 / € 0,44 / € 0,40 / – / € 0,30 |