Yokkaichi: Toshiba baut Kapazitäten für 3D-NAND weiter aus

Die von Toshiba und Western Digital angekündigten Milliarden-Investitionen in die 3D-NAND-Fertigung münden in einer weiteren Anlage. Am Standort Yokkaichi soll eine weitere Fertigungsstätte für die Herstellung des dreidimensionalen Flash-Speichers entstehen. Außerdem ist dort ein Entwicklungszentrum geplant.

Die Pläne zum Neubau hatte Toshiba noch vor Übernahme des Partners SanDisk durch Western Digital im März publik gemacht. Jetzt steht der Termin für den Baubeginn fest: Im Februar 2017 sollen die Arbeiten an der Fab 6 beginnen. Wie bei der Fab 5, soll der Bau in zwei Phasen verlaufen. Für den Abschluss der ersten Phase wird der Sommer 2018 angepeilt. Neben der neuen Fab soll auch ein Forschungs- und Entwicklungszentrum für Speicher entstehen. Damit sollen Kräfte künftig an einem Standort gebündelt werden.

Fahrplan richtet sich nach Bedarf

Umfang und Bestückung der neuen Fertigungsstätte macht Toshiba von den jeweiligen Trends am Markt abhängig. Auch der Produktionsstart werde von der Marktsituation abhängen – je nachdem, was, wann und wie viel benötigt wird. Die Anlage ist zumindest explizit für die Herstellung von Toshibas 3D-NAND namens BiCS-Flash bestimmt. In Partnerschaft mit Western Digital will Toshiba im kommenden Jahr die dritte Generation (BiCS3) mit 64 Ebenen (Layer) einführen, der zunächst in der erst vor einigen Monaten eröffneten Fab 2 produziert werden wird.

Erdbebensicher, umweltfreundlich und künstlich intelligent

Details zur neuen Anlage sind zumindest öffentlich noch Mangelware. Fest stehe, dass die Fabrik eine Struktur erhält, die durch Erdbeben erzeugte Schwingungen absorbiert. Außerdem sei ein „umweltfreundliches Design“ mit sparsamen Produktionsanlagen und LED-Beleuchtung im gesamten Gebäude geplant. Zur Steigerung der Produktivität soll das Produktionssystem auf künstliche Intelligenz (AI) zurückgreifen.

Wettrüsten der NAND-Flash-Hersteller

Toshiba und Western Digital, die zusammen zweitgrößter Hersteller von NAND-Flash hinter Samsung sind, sind nicht die einzigen Unternehmen, die immer mehr in die 3D-NAND-Fertigung investieren. Erst kürzlich hat SK Hynix eine neue Generation samt Aufstockung der Produktionsmenge angekündigt. Samsung beeilt sich bei der neuen Anlage in Pyeongtaek und Micron hat erst vor gut einem Monat die Erweiterung der Fab 10 in Singapur eröffnet.

Der Bedarf an NAND-Flash wächst, worauf die Hersteller reagieren. Der Speicher wird nicht nur in Smartphones, Tablets und SSDs sondern auch in Speicherkarten und USB-Sticks eingesetzt und erreicht immer mehr Produkte.