64 Layer 3D-NAND mit 512 Gbit: Toshiba und Western Digital starten Pilotfertigung

Toshiba und Western Digital haben den Start der Pilotfertigung des neuen 3D-NAND mit 64 Layern und 512 Gbit pro Chip verkündet. Die BiCS3 getaufte dritte Generation des Flash-Speichers mit übereinander liegenden Zellschichten war zuvor nur als 256-Gbit-Version verfügbar.

Bis zur Massenfertigung der neuen 512-Gbit-Chips wird es noch eine Weile dauern, denn diese wird erst im zweiten Halbjahr 2017 erwartet. Produziert werden die ersten Chips im japanischen Yokkaichi. Dort hatte Toshiba erst im vergangenen Sommer die Fab 2 eröffnet und will in Kürze mit Unterstützung von Western Digital am gleichen Standort den Bau einer weiteren 3D-NAND-Anlage beginnen.

512 Gbit folgt auf kleine 256-Gbit-Chips

Im Dezember hatten die bei der NAND-Flash-Fertigung kooperierenden Unternehmen die Auslieferung der 256-Gbit-Variante verkündet. Dabei war die Rede von den kleinsten 256-Gb-Chips der Branche – diesen Titel schreibt sich nun Micron bei seinem 64-Layer-NAND auf die Fahne. Zu Toshibas 3D-NAND fehlen allerdings noch offizielle Größenangaben für einen Vergleich.

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Dafür wollen Toshiba und Western Digital nun beim 512-Gb-NAND mit 64 Ebenen die branchenweit ersten sein. Doch gilt es abzuwarten, wann Samsung die Massenfertigung des V-NAND V4 startet: Die mittlerweile vierte Generation von Samsungs 3D-NAND soll ebenfalls bis zu 512 Gbit auf 64 Zellschichten bieten. Der eigentlich für Ende 2016 geplante Start der Serienproduktion hat sich aber augenscheinlich verzögert.

Mehr BiCS3-Infos zur ISSCC

Wer nun wirklich die kleinsten 256-Gbit-3D-NAND-Chips im Portfolio hat und wie die BiCS3-Generation 512 Gbit erreicht, könnte die aktuell stattfindende International Solid State Circuits Conference (ISSCC) beleuchten. Im Rahmen der Technikkonferenz will Western Digital morgen ein „technical paper“ präsentieren, das nähere Details zu Technik und Fertigung bereithält.

Ab 64 Layer wird 3D-NAND „kostengünstig“

Western Digital hatte auf dem Investor Day im Dezember erklärt, dass sich 3D-NAND erst mit der 64-Layer-Generation wirklich kostengünstig herstellen lässt. Die vorherigen Generationen (damals noch Toshiba & SanDisk) waren nur in vergleichsweise geringer Stückzahl gefertigt worden und erreichten nicht alle Produktsegmente. Der BiCS3-Flash soll aber in „voller Massenproduktion“ den Weg in zahlreiche Produkte von Speicherkarten über Client-SSDs bis zu Enterprise-Lösungen finden.

Aktuell ist NAND-Flash knapp und teuer

Viele Jahre wurde NAND-Flash immer günstiger. Doch durch extrem hohe Nachfrage und eine Verknappung, die auch auf die Umstellung der Fabriken auf 3D-NAND zurückführt, steigen derzeit die Preise. Die neuen 3D-NAND-Generationen mit 64 Layern bei Micron, Samsung und Toshiba sowie mit 72 Layern bei SK Hynix lassen zumindest langfristig auf wieder sinkende Speicherpreise hoffen.