Portable SSD T5: Samsung bereitet externe SSD mit 64-Layer-V-NAND vor
Laut einem Bericht des Korea Herald könnte Samsung schon im Juni eine neue externe SSD herausbringen. Die Portable SSD T5 soll bereits auf der neuen, vierten Generation des V-NAND basieren. Der 3D-NAND besitzt 64 Zellebenen (Layer) und erreicht eine Speicherkapazität von 512 Gigabit pro Die.
Die Informationen sollen aus einer mit der Materie vertrauten Quelle stammen. Ein Samsung-Vertreter habe zumindest Arbeiten an einem solchen Produkt, jedoch weder den Namen, noch die Spezifikationen bestätigt. Auch der Termin für den Marktstart sei noch nicht entschieden.
Kleiner und leichter als T3?
Dass Samsungs nächste tragbare SSD „T5“ heißen wird, ist derweil naheliegend. Das erste Produkt dieser Art trug die Bezeichnung Portable SSD T1 (Test), darauf folgte die Portable SSD T3 (Test). Dem Schema folgend, wird auch bei der nächsten Generation die gerade Ziffer übersprungen.
Es sei zu erwarten, dass Größe und Gewicht der Portable SSD T5 geringer als beim Vorgänger ausfallen. Die T3 misst 74 × 10,5 × 58 mm und wiegt rund 50 Gramm, ist allerdings etwas größer und schwerer als die T1. Die T5 soll zudem in drei Farbvarianten erscheinen: von Black, Silver und Coral Blue ist die Rede. Das Coral Blue soll an die Smartphone-Serie Galaxy S8 erinnern.
Mehr Speicherplatz und Leistung dank neuem Speicher?
Durch den Umstieg von 48-Layer-V-NAND auf 64-Layer-V-NAND mit doppelt so viel Gigabit pro Die seien höhere Speicherkapazitäten bei der T5 zu erwarten. Die T3 ist mit bis zu 2 TByte erhältlich. Eine T5 mit 4 TByte wäre somit ohne Weiteres möglich, doch dürfte das Preisniveau entsprechend hoch sein: Eine T3 mit 2 TByte kostet aktuell mindestens 724 Euro. Zwar soll der neue 3D-NAND zumindest mittelfristig die Kosten senken, doch eine 4-TB-Version wäre dennoch zunächst weit jenseits der 1.000 Euro zu erwarten.
| Samsung Portable SSD T5* | Samsung Portable SSD T3 | Samsung Portable SSD T1 | |
|---|---|---|---|
| Format | ? | mSATA im externen Gehäuse | |
| Abmessungen | < 74 × 10,5 × 58 mm | 74 × 10,5 × 58 mm | 71 × 9,2 × 53,2 mm |
| Gewicht | < 51 g ? | 51 g | < 30 g |
| Kapazitäten | bis > 2 TB ? | 250 GB, 500 GB, 1.000 GB, 2.000 GB | 250 GB, 500 GB, 1.000 GB |
| Schnittstelle | USB 3.1 Gen2 (10 Gbit/s) ? | USB 3.1 Gen 1 (5 Gbit/s, UASP) | USB 3.0 (5 Gbit/s, UASP) |
| Anschluss | ? | USB Typ C zu Typ A | Micro-USB Typ B zu Typ A |
| Max. Transferrate | > 450 MB/s ? | 450 MB/s | |
| Controller | Samsung | Samsung MGX | Samsung MEX o. MGX |
| NAND-Flash | TLC V-NAND Gen4 (64 Layer, 512 Gbit) | TLC V-NAND Gen3 (48 Layer, 256 Gbit) | TLC V-NAND Gen2 (32 Layer, 128 Gbit) |
| Verschlüsselung | ? | AES 256 Bit | |
| Leistungsaufnahme | ? | keine Angabe | |
| Garantie | ? | 3 Jahre | |
| TBW | ? | keine Angabe | |
| * Daten unbestätigt und spekulativ | |||
Der neue Speicher bringt auch eine auf 800 Mbit/s gesteigerte interne Datenrate mit sich. Daher wird über höhere Transferraten bei der Portable SSD T5 spekuliert. T1 und T3 bringen es auf etwa 450 MB/s, werden allerdings durch die externe Schnittstelle (USB 3.0 alias USB 3.1 Gen1) ausgebremst. Die T5 müsste somit über USB 3.1 Gen2 mit 10 Gbit/s verfügen, um die höhere Leistung freizusetzen. Als Anschluss wäre USB Typ C denkbar.
Marktstart im Juni mit ersten Chips aus der Massenfertigung?
Die Quelle des Korea Herald spricht klar über einen baldigen Marktstart: „In Anbetracht des jüngsten Produktionsvolumens könnte die offizielle Markteinführung des Produkts im Juni möglich sein“. Da Samsung allerdings den Start der Massenfertigung des V-NAND Gen4 bis heute nicht offiziell verkündet hat, wie es bisher üblich war, kommen Zweifel auf.
Bereits im Sommer 2016 hatte Samsung die neue Generation des 3D-NAND angekündigt. Die Serienfertigung sollte bereits im vierten Quartal 2016 beginnen, doch bis heute gibt es zumindest offiziell keinerlei neue Informationen über den Produktionsstatus.
Die Portable SSD T5 könnte somit die ersten Chips aus der echten Serienfertigung erhalten. Laut Korea Herald werde die Massenfertigung im Juli hochgefahren, wenn die neue Anlage in Pyeongtaek in Betrieb geht.