3D-NAND: SK Hynix 3D-V4 mit nun guten Yields in Massenproduktion

Ohne große Ankündigung soll die Massenproduktion der neuen Generation des 3D-NAND von SK Hynix in diesen Tagen gestartet sein. Dies berichtet ETNews unter Berufung auf Industriequellen und geht dabei bis ins Detail.

SK Hynix hatte vor knapp drei Monaten offiziell verkündet, dass der 3D-V4 genannte TLC-NAND-Flash-Speicher mit 256 Gigabit auf 72 Zellebenen im zweiten Halbjahr die Massenfertigung erreichen soll. Somit ist dies zum frühest möglichen Termin eingetroffen. Allerdings liegt vom Hersteller bisher keine offizielle Ankündigung als Bestätigung vor.

Yields auf Augenhöhe mit Samsung

Nach anfangs schlechter Chip-Ausbeute sollen die Yields nun das Niveau von Samsungs Produktion erreichen, so der Bericht. Erst vor wenigen Wochen war der Beginn der Massenproduktion von Samsungs vierter Generation (V-NAND Gen 4) mit 256 Gigabit auf 64 Zellebenen verkündet worden. Beide Unternehmen wollen die Herstellung der neuen Chips zügig hochfahren und bis zum Jahresende mehr als die Hälfte der 3D-NAND-Produktion auf die neue Generation umgestellt haben.

Abgesehen davon, dass SK Hynix von 48 auf 72 Layer erhöht hat und Samsung von 48 auf 64 Layer gegangen ist, gleichen sich die 3D-NAND-Chips in vielen Punkten. Beide bieten 256 Gigabit Speicherplatz pro Die und basieren auf einem TLC-Design (Triple-Level Cell) mit drei Bit pro Speicherzelle. Die höhere Anzahl der Layer ermöglicht mehr Speicherplatz pro Chipfläche, was im Gegenzug die Produktivität erhöht. Konkret ist bei beiden Unternehmen von einer 30 Prozent gesteigerten „productivity“ die Rede.

Genau wie Samsung verspricht auch SK Hynix parallel eine höhere Leistung des neuen 3D-NAND. Die Transferraten sollen lesend wie schreibend 20 Prozent steigen. Samsung wird aber beim I/O-Interface mit 1.000 Mbit/s voraussichtlich die höchste Geschwindigkeit vorweisen können.

Auch Western Digital und Toshiba (BiCS3) sowie Intel und Micron sind bei TLC-3D-NAND mit 64 Zellebenen und 256 Gigabit angelangt.